[发明专利]Li2In2GeSe6化合物、Li2In2GeSe6非线性光学晶体及制法和用途

权利要求书

1.一种化学式为Li₂In₂GeSe₆的化合物。

2.一种权利要求1所述Li₂In₂GeSe₆化合物的制备方法，其步骤如下：

将含Li物质、含In物质、含Ge物质和单质Se按照摩尔比Li∶In∶Ge∶Se＝2∶2∶1∶6的比例配料并混合均匀后，加热至700-800℃进行固相反应，得到化学式为Li₂In₂GeSe₆的化合物；所述含Li物质为硒化锂或硒铟锂；所述含Ge物质为锗单质或二硒化锗；所述含In物质为铟单质或三硒化二铟或硒铟锂。

3.按权利要求2所述Li₂In₂GeSe₆化合物的制备方法，其特征在于，所述加热进行固相反应的步骤是：将上述配料研磨之后装入石英管中，对石英管抽真空至10^-3pa并进行熔化封装，放入马弗炉中，以10-50℃/小时的速率升温至700-800℃，恒温48-72小时，待冷却后取出样品；对取出的样品重新研磨混匀再置于石英管中抽真空至10^-3pa并进行熔化封装，再放入马弗炉内升温至700-800℃烧结48小时；将样品取出，并捣碎研磨得粉末状Li₂In₂GeSe₆化合物。

4.一种Li₂In₂GeSe₆非线性光学晶体，该Li₂In₂GeSe₆非线性光学晶体不具有对称中心，属单斜晶系，空间群为Cc，其晶胞参数为：β＝109.83°。

5.一种权利要求4所述Li₂In₂GeSe₆非线性光学晶体的制备方法，其为高温熔体自发结晶法生长Li₂In₂GeSe₆非线性光学晶体，其步骤为：将粉末状Li₂In₂GeSe₆化合物加热至熔化得高温熔液并保持24-96小时后，以1-10℃/小时的降温速率降温至室温，得到橙红色透明的Li₂In₂GeSe₆晶体。

6.按权利要求5所述Li₂In₂GeSe₆非线性光学晶体的制备方法，其特征在于，所述粉末状Li₂In₂GeSe₆化合物的制备如下：

将含Li物质、含In物质、含Ge物质和Se按照摩尔比Li∶In∶Ge∶Se＝2∶2∶1∶6的比例混合均匀后，加热进行固相反应，得到化学式为Li₂In₂GeSe₆的化合物，经捣碎研磨得粉末状Li₂In₂GeSe₆的化合物；所述含Li物质为硒化锂或硒铟锂；所述含Ge物质为锗单质或二硒化锗；所述含In物质为铟单质或三硒化二铟或硒铟锂。

7.一种权利要求4所述Li₂In₂GeSe₆非线性光学晶体的制备方法，其为坩埚下降法生长Li₂In₂GeSe₆非线性光学晶体，其步骤如下：

将Li₂In₂GeSe₆粉末放入晶体生长装置中，缓慢升温至粉末熔化，待粉末完全熔化后，晶体生长装置以0.1-10mm/h的速度垂直下降，在晶体生长装置下降过程中进行Li₂In₂GeSe₆非线性光学晶体生长，其生长周期为5-20天。