[发明专利]用于CMP垫调节的方法和装置

权利要求书

1.一种方法，包括：

提供用于调节化学机械抛光(CMP)装置的抛光垫的调节盘，其中所述调节盘具有第一部分和第二部分；

提供连接至所述调节盘的修整器头，其中所述修整器头包括第一器件和第二器件；

使用所述修整器头的所述第一器件向所述调节盘的所述第一部分施加第一作用力；

使用所述修整器头的所述第二器件向所述调节盘的所述第二部分施加第二作用力，同时施加所述第一作用力，所述第二作用力与所述第一作用力不同。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，施加所述第一作用力包括提供第一负荷，以及施加所述第二作用力包括提供与所述第一负荷不同的第二负荷。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，施加所述第一作用力包括提供第一角速度，以及施加所述第二作用力包括提供第二角速度，其中所述第一角速度和所述第二角速度不同。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一角速度和所述第二角速度具有相同的方向。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

提供设置在所述调节盘下方的抛光垫；以及

使用所述调节盘的所述第一部分向所述抛光垫施加第三作用力，同时使用所述调节盘的所述第二部分向所述抛光垫施加第四作用力。

6.根据权利要求5所述的方法，进一步包括：

基于所述抛光垫的使用年龄确定所述第一作用力和所述第二作用力。

7.根据权利要求5所述的方法，进一步包括：

在向所述抛光垫施加所述第三作用力和所述第四作用力后，使用所述抛光垫实施半导体晶圆的化学机械抛光。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述调节盘的所述第一部分的至少一个线速度与所述调节盘的所述第二部分的至少一个线速度基本上相似。

9.一种化学机械抛光(CMP)装置，包括：

压盘和抛光垫，所述抛光垫被设置在所述压盘上方；

修整器臂；和

修整器头，连接至所述修整器臂；以及

调节盘，用于调节连接至所述修整器臂的所述抛光垫，其中，所述调节盘包括第一子系统盘和同心的第二子系统盘，所述第一子系统盘连接至所述修整器头的第一部分，以及所述第二子系统盘连接至所述修整器头的第二部分。

10.一种调节CMP垫的方法，包括：

提供抛光垫；

提供调节盘；以及

使用所述调节盘调节所述抛光垫，其中，所述调节包括以第一角速度转动所述盘的第一部分，并且同时以第二角速度转动所述盘的第二部分。