[发明专利]改善电流传输的LED芯片

权利要求书

1.一种改善电流传输的LED芯片，包括衬底（1）及位于所述衬底（1）上的N型氮化镓层（2）、量子阱（3）及P型氮化镓层（4）；其特征是：所述P型淡化基层（4）上覆盖有第一透明导电层（5），第一透明导电层（5）上覆盖有第二透明导电层（6），所述第二透明导电层（6）上设有电连接的P电极（8）；所述P电极（8）的正下方设有透明的电流扩散控制绝缘层（7）。

2.根据权利要求1所述的改善电流传输的LED芯片，其特征是：所述P电极（8）在第一透明导电层（5）上的投影面积不大于电流扩散控制绝缘层（7）的投影面积。

3.根据权利要求1所述的改善电流传输的LED芯片，其特征是：所述电流扩散控制绝缘层（7）包括二氧化硅。

4.根据权利要求1所述的改善电流传输的LED芯片，其特征是：所述电流扩散控制绝缘层（7）位于第一透明导电层（5）与第二透明导电层（6）的结合部。

5.根据权利要求1所述的改善电流传输的LED芯片，其特征是：所述第二透明导电层（6）的等效电阻值低于第一透明导电层（5）的等效电阻值。

6.根据权利要求5所述的改善电流传输的LED芯片，其特征是：所述第一透明导电层（5）与第二透明导电层（6）为ITO层。

7.根据权利要求1所述的改善电流传输的LED芯片，其特征是：所述N型氮化镓层（2）上方设有与N型氮化镓层（2）电连接的N电极（10）。

8.根据权利要求1所述的改善电流传输的LED芯片，其特征是：所述衬底（1）为蓝宝石基板。