[发明专利]氟铜共掺杂硫化钙发光材料、制备方法及其应用

权利要求书

1.一种氟铜共掺杂硫化钙发光材料，其特征在于：其化学式为CaS:xCu²⁺，yF^-，其中CaS是基质，Cu元素是激活元素，0.005≤x≤0.05，0.001≤y≤0.03。

2.一种氟铜共掺杂硫化钙发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

根据CaS:xCu²⁺，yF^-各元素的化学计量比称取CaS，CuS和CaF₂粉体并混合均匀，其中0.005≤x≤0.05，0.001≤y≤0.03；及

将混合均匀的粉体在900℃～1300℃下烧结0.5小时～5小时即得到化学式为CaS:xCu²⁺，yF^-的氟铜共掺杂硫化钙发光材料。

3.一种氟铜共掺杂硫化钙发光薄膜，其特征在于，该氟铜共掺杂硫化钙发光薄膜的材料的化学通式为CaS:xCu²⁺，yF^-，其中，CaS是基质，Cu元素是激活元素，0.005≤x≤0.05，0.001≤y≤0.03。

4.一种氟铜共掺杂硫化钙发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

根据CaS:xCu²⁺，yF^-各元素的化学计量比称取CaS，CuS和CaF₂并混合均匀在900℃～1300℃下烧结0.5小时～5小时制成靶材，其中0.005≤x≤0.05，0.001≤y≤0.03；

将所述靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置为1.0×10^-3pa～1.0×10^-5Pa；及

调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为50mm～90mm，磁控溅射工作压强0.2Pa～1.5Pa，工作气体的流量为15sccm～20sccm，衬底温度为200℃～500℃，接着进行制膜，得到化学式为CaS:xCu²⁺，yF^-的氟铜共掺杂硫化钙发光薄膜。

5.根据权利要求4所述的氟铜共掺杂硫化钙发光薄膜的制备方法，其特征在于，还包括步骤：将所述氟铜共掺杂硫化钙发光薄膜于500℃～800℃下真空退火处理0.5h～3h。

6.根据权利要求4所述的氟铜共掺杂硫化钙发光薄膜的制备方法，其特征在于，所述真空腔体的真空度为5.0×10^-4pa，基靶间距为60mm，磁控溅射工作压强为1Pa，工作气体为氩气，工作气体的流量为20sccm，衬底温度为450℃。

7.一种薄膜电致发光器件，该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光层以及阴极层，其特征在于，所述发光层的材料为氟铜共掺杂硫化钙发光材料，该氟铜共掺杂硫化钙发光材料的化学式为CaS:xCu²⁺，yF^-，其中0.005≤x≤0.05，0.001≤y≤0.03。

8.一种薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供具有阳极的衬底；

在所述阳极上形成发光层，所述发光层的材料为氟铜共掺杂硫化钙发光材料，该氟铜共掺杂硫化钙发光材料的化学式为CaS:xCu²⁺，yF^-，其中0.005≤x≤0.05，0.001≤y≤0.03；

在所述发光层上形成阴极。