[发明专利]一种监测光刻机焦距偏移的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种微电子技术，尤其涉及一种监测光刻机焦距偏移的方法。

背景技术

光刻机焦距发生偏移，如果不能及时有效地发现将会给生产带来巨大的损失，现有的技术主要采用扫描电子显微镜测量关键尺寸或者测量套刻精度的方法来监测。

以上提到的方法在测量关键尺寸时，对样品的量测位置和形貌的要求比较高，量测位置有变化或形貌不满足扫描电子显微镜测量的要求，会给最终结果带来很大的困扰。

扫描电子显微镜是应用电子束在样品表面扫描激发二次电子成像的电子显微镜，存在无法测量类似上宽下窄的倒状梯形图形的底部线宽的弊端，而无法准确反馈实际信息，不能够及时判断光刻机台焦距的变化情况，而且当受到量测干扰是会有很高的误差。

发明内容

针对上述存在的问题，本发明的目的是提供一种监测光刻机焦距偏移的方法，本发明提出利用光学线宽测量仪，通过分析吸收得到的从样品表面反射回来的光谱曲线所含的信息，以达到测量目的，并且依靠监测实际量测光谱曲线与参考曲线相似程度从而监测光刻机焦距偏移的方法。这样不仅可以测量样品的类似上宽下窄的倒状梯形图形的底部线宽，准确反馈了实际信息，及时判断光刻机台焦距的变化，还能降低由于受到量测干扰带来的误差。

本发明的目的是通过下述技术方案实现的：一种监测光刻机焦距偏移的方法，其中包括以下步骤：

确定出光刻机正常状况下光谱曲线的状况，得到参考光谱曲线，并根据该情况建立量测程式；

在满足晶圆的曝光条件随着光刻机焦距而变化的前提下，再曝光一片第一晶圆；

依据已经建立的量测程式测出满足上述曝光条件下的第一晶圆，得到实际量测光谱曲线；

确定一警报点分数；

把警报点分数输入到已经建立的量测程式中；

用已经建立的量测程式来监测光刻机的焦距偏移。

上述的监测光刻机焦距偏移的方法，其中，上述的确定出光刻机正常状况下光谱曲线的状况，并根据该情况建立量测程式，具体包括下列步骤： 

在光刻机正常工作的条件下曝一片第二晶圆；

依据第二晶圆建立量测程式并且确定参考光谱曲线。

上述的监测光刻机焦距偏移的方法，其中，上述的警报点分数是相似程度分数值随着焦距而变化的曲线的下限。

上述的监测光刻机焦距偏移的方法，其中，上述的相似程度分数值的公式是:

其中s代表光学测量仪相似度值，N代表一颗光谱光谱的单位数量，代表实际量测光强，代表理论计算光强，代表波长，p代表修正指数。

上述的监测光刻机焦距偏移的方法，其中，上述的相似程度分数值是随着光刻机焦距变化与形成的测量光谱曲线与参考光谱曲线之间的相似程度分数值。

上述的监测光刻机焦距偏移的方法，其中，依据上述的相似程度分数值小于所述的警报点判断光刻机焦距状态有偏移。

与已有技术相比，本发明的有益效果在于：由于利用了光学线宽测量仪，依靠监测实际量测光谱曲线与参考光谱曲线相似程度从而监测光刻机焦距偏移的方法。这样解决了：（1）能够及时有效地通过量测量产的晶圆来判断光刻机台焦距的变化情况。（2）受到量测干扰从而带来的判断误差降低。

附图说明

图1a，图1b是本发明监测光刻机焦距偏移的方法的光学线宽测量仪工作原理。

图2是本发明监测光刻机焦距偏移的方法的实际量测与参考光谱曲线。

图3是本发明监测光刻机焦距偏移的方法的相似度随焦距变化曲线及报警点分数。

图4是本发明监测光刻机焦距偏移的方法的流程示意图。

具体实施方式

下面结合原理图和具体操作实施例对本发明作进一步说明。