[发明专利]一种监测光刻机焦距偏移的方法有效
申请号: | 201210047368.4 | 申请日: | 2012-02-28 |
公开(公告)号: | CN102566321A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 唐在峰;张旭升;吕煜坤;方超 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G01M11/02 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 王敏杰 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 监测 光刻 焦距 偏移 方法 | ||
1.一种监测光刻机焦距偏移的方法,其特征在于,包括以下步骤:
确定出光刻机正常状况下光谱曲线的状况,得到参考光谱曲线,并根据该情况建立量测程式;
在满足晶圆的曝光条件随着光刻机焦距而变化的前提下,再曝光一片第一晶圆;
依据已经建立的量测程式测出满足上述曝光条件下的第一晶圆,得到实际量测光谱曲线;
确定一警报点分数;
把警报点分数输入到已经建立的量测程式中;
用已经建立的量测程式来监测光刻机的焦距偏移。
2.根据权利要求1所述的监测光刻机焦距偏移的方法,其特征在于,所述的确定出光刻机正常状况下光谱曲线的状况,并根据该情况建立量测程式,具体包括下列步骤:
在光刻机正常工作的条件下曝一片第二晶圆;
依据第二晶圆建立的量测程式并且确定参考光谱曲线。
3.根据权利要求1所述的监测光刻机焦距偏移的方法,其特征在于,所述的警报点分数是相似程度分数值随着焦距而变化的曲线的下限。
4.根据权利要求3所述的监测光刻机焦距偏移的方法,其特征在于,所述的相似程度分数值的公式是:
其中s代表光学测量仪相似度值,N代表一颗光谱光谱的单位数量,代表实际量测光强,代表理论计算光强,代表波长,p代表修正指数。
5.根据权利要求4所述的监测光刻机焦距偏移的方法,其特征在于,所述的相似程度分数值是随着光刻机焦距变化与形成的测量光谱曲线与参考光谱曲线之间的相似程度分数值。
6.根据权利要求1所述的监测光刻机焦距偏移的方法,其特征在于,依据所述的相似程度分数值小于所述的警报点判断光刻机焦距状态有偏移。
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