[发明专利]碱性存储器硬盘抛光组合物无效

专利信息
申请号: 201210046523.0 申请日: 2012-02-28
公开(公告)号: CN102618175A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 张金平;唐会明;徐功涛 申请(专利权)人: 南通海迅天恒纳米科技有限公司
主分类号: C09G1/02 分类号: C09G1/02
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 卢霞
地址: 226600 江苏省南*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 碱性 存储器 硬盘 抛光 组合
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种组合物,具体地说,涉及一种碱性存储器硬盘抛光组合物。

背景技术

硬盘基片多数采用薄膜复合结构,主要有铝镁合金基板、玻璃基板、微晶玻璃基板等。目前,大多数硬盘采用铝镁合金基板作为磁盘盘片,在铝镁合金基板表面沉积一薄层NiP(镍与磷重量比约为90:1 0), 以提高其表面硬度。为了减少硬盘表面的粗糙度,或存在的其他表面缺陷,常常需要对硬盘表面进行化学机械抛光。

目前市场上存在的用于存储器硬盘的抛光液主要有两种产品:以氧化铝为磨料的酸性粗抛液和以硅溶胶为磨料的酸性精抛液。酸性氧化铝抛光液的抛光速率很高,而酸性硅溶胶硬盘抛光液的抛光速率很低;由于氧化铝的硬度很大,其抛光液对硬盘进行粗抛后,表面有很多划伤,而这些划伤在后续的精抛过程中很难去除,从而影响了硬盘基片的表面质量。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术的不足之处,提供一种碱性存储器硬盘抛光组合物。

本发明的碱性存储器硬盘抛光组合物,包括如下组分:磨料、络合剂、氧化剂、助蚀剂和水,其中所述的磨料的重量百分含量为2-20%,所述的络合剂的重量百分含量为0.5-3%,所述的氧化剂的重量百分含量为0.05-1%,所述的助蚀剂的重量百分含量为0.1-2%。

所述的磨料为硅溶胶,所述的硅溶胶的粒径为80-150nm,pH值为9-10。

所述的络合剂选自氨水、四甲基氢氧化铵、羟乙基乙二胺、四羟乙基乙二胺、氨三乙酸、氨三乙酸三钠、乙二胺四乙酸、氨基磺酸、氨基磺酸铵和二乙烯三胺五乙酸中的一种或多种。

所述的氧化剂选自过硫酸铵、过硫酸钠、过硫酸钾、过碳酸钠、氯酸钾、高铁酸铵、双氧水或高氯酸钾。

所述的助蚀剂选自氟化钾、氟化钠、氟化铵或四甲基氟化铵。

本发明的碱性存储器硬盘抛光组合物的制备方法如下:称取一定量硅溶胶(浓度为40-45%),加纯水稀释至一定浓度,然后在搅拌的条件下加入含有络合剂、氧化剂、助蚀剂、活性剂的水溶液,再加纯水稀释至磨料浓度为2-20%,最后充分搅拌10min即可。

本发明的碱性存储器硬盘抛光组合物,具有如下技术效果:可用于计算机硬盘基片的粗抛光,抛光速率高,抛光后硬盘基片的表面平坦度好,解决了氧化铝硬盘抛光液存在的划伤问题,也解决了酸性抛光液对设备的严重腐蚀问题。

具体实施方式

下面结合具体实施方式来对本发明作进一步地详细说明。

实施例1  

配制1.5kg碱性存储器硬盘抛光组合物,包括以下步骤:

1)称取75g 130nm硅溶胶(浓度为40%),加纯水稀释至1.0kg;

2)称取200g纯水,缓慢加入7.5g氨水;

3)称取1.5g氟化铵加入到2)中,搅拌至溶解;

4)称取0.75g过硫酸铵加入3)中,搅拌至溶解;

5)将4)加入至1)中,搅拌均匀;

6)加完上述物质后,加纯水至总质量1.5kg,再搅拌10min。

实施例2

配制1.5kg碱性存储器硬盘抛光组合物,包括以下步骤:

1)称取187.5g  90-110nm硅溶胶(浓度为40%),加纯水稀释至1.0kg;

2)称取200g纯水,缓慢加入7.5g氨水;

3)称取3g四甲基氢氧化铵加入到2)中,搅拌至溶解;

4)称取3g氟化钾加入到3)中,搅拌至溶解;

5)称取3g过硫酸钠加入4)中,搅拌至溶解;

6)称取6g氨基磺酸,加15g氨水溶解; 7)将6)加入到5)中,搅拌均匀;

8)将7)加入1)中,搅拌均匀;

9)加完上述物质后,加纯水至总质量1.5kg,继续搅拌10min。

实施例3

配制1.5kg碱性存储器硬盘抛光组合物,包括以下步骤:

1)  称取375g  130nm硅溶胶(浓度为40%),加纯水稀释至1.0kg;

2)称取200g纯水,缓慢加入15g氨水;

3)称取3g氨三乙酸加入到2)中,搅拌至溶解;

4)称取6g氟化钠加入到3)中,搅拌至溶解;

5)称取3g过硫酸钾加入4)中,搅拌至溶解;

6)将5)加入至1)中,搅拌均匀;

7)加完上述物质后,加纯水至总质量1.5kg,再搅拌10min。

实施例4

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