[发明专利]碱性存储器硬盘抛光组合物无效
申请号: | 201210046523.0 | 申请日: | 2012-02-28 |
公开(公告)号: | CN102618175A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 张金平;唐会明;徐功涛 | 申请(专利权)人: | 南通海迅天恒纳米科技有限公司 |
主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 卢霞 |
地址: | 226600 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 碱性 存储器 硬盘 抛光 组合 | ||
技术领域
本发明涉及一种组合物,具体地说,涉及一种碱性存储器硬盘抛光组合物。
背景技术
硬盘基片多数采用薄膜复合结构,主要有铝镁合金基板、玻璃基板、微晶玻璃基板等。目前,大多数硬盘采用铝镁合金基板作为磁盘盘片,在铝镁合金基板表面沉积一薄层NiP(镍与磷重量比约为90:1 0), 以提高其表面硬度。为了减少硬盘表面的粗糙度,或存在的其他表面缺陷,常常需要对硬盘表面进行化学机械抛光。
目前市场上存在的用于存储器硬盘的抛光液主要有两种产品:以氧化铝为磨料的酸性粗抛液和以硅溶胶为磨料的酸性精抛液。酸性氧化铝抛光液的抛光速率很高,而酸性硅溶胶硬盘抛光液的抛光速率很低;由于氧化铝的硬度很大,其抛光液对硬盘进行粗抛后,表面有很多划伤,而这些划伤在后续的精抛过程中很难去除,从而影响了硬盘基片的表面质量。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的不足之处,提供一种碱性存储器硬盘抛光组合物。
本发明的碱性存储器硬盘抛光组合物,包括如下组分:磨料、络合剂、氧化剂、助蚀剂和水,其中所述的磨料的重量百分含量为2-20%,所述的络合剂的重量百分含量为0.5-3%,所述的氧化剂的重量百分含量为0.05-1%,所述的助蚀剂的重量百分含量为0.1-2%。
所述的磨料为硅溶胶,所述的硅溶胶的粒径为80-150nm,pH值为9-10。
所述的络合剂选自氨水、四甲基氢氧化铵、羟乙基乙二胺、四羟乙基乙二胺、氨三乙酸、氨三乙酸三钠、乙二胺四乙酸、氨基磺酸、氨基磺酸铵和二乙烯三胺五乙酸中的一种或多种。
所述的氧化剂选自过硫酸铵、过硫酸钠、过硫酸钾、过碳酸钠、氯酸钾、高铁酸铵、双氧水或高氯酸钾。
所述的助蚀剂选自氟化钾、氟化钠、氟化铵或四甲基氟化铵。
本发明的碱性存储器硬盘抛光组合物的制备方法如下:称取一定量硅溶胶(浓度为40-45%),加纯水稀释至一定浓度,然后在搅拌的条件下加入含有络合剂、氧化剂、助蚀剂、活性剂的水溶液,再加纯水稀释至磨料浓度为2-20%,最后充分搅拌10min即可。
本发明的碱性存储器硬盘抛光组合物,具有如下技术效果:可用于计算机硬盘基片的粗抛光,抛光速率高,抛光后硬盘基片的表面平坦度好,解决了氧化铝硬盘抛光液存在的划伤问题,也解决了酸性抛光液对设备的严重腐蚀问题。
具体实施方式
下面结合具体实施方式来对本发明作进一步地详细说明。
实施例1
配制1.5kg碱性存储器硬盘抛光组合物,包括以下步骤:
1)称取75g 130nm硅溶胶(浓度为40%),加纯水稀释至1.0kg;
2)称取200g纯水,缓慢加入7.5g氨水;
3)称取1.5g氟化铵加入到2)中,搅拌至溶解;
4)称取0.75g过硫酸铵加入3)中,搅拌至溶解;
5)将4)加入至1)中,搅拌均匀;
6)加完上述物质后,加纯水至总质量1.5kg,再搅拌10min。
实施例2
配制1.5kg碱性存储器硬盘抛光组合物,包括以下步骤:
1)称取187.5g 90-110nm硅溶胶(浓度为40%),加纯水稀释至1.0kg;
2)称取200g纯水,缓慢加入7.5g氨水;
3)称取3g四甲基氢氧化铵加入到2)中,搅拌至溶解;
4)称取3g氟化钾加入到3)中,搅拌至溶解;
5)称取3g过硫酸钠加入4)中,搅拌至溶解;
6)称取6g氨基磺酸,加15g氨水溶解; 7)将6)加入到5)中,搅拌均匀;
8)将7)加入1)中,搅拌均匀;
9)加完上述物质后,加纯水至总质量1.5kg,继续搅拌10min。
实施例3
配制1.5kg碱性存储器硬盘抛光组合物,包括以下步骤:
1) 称取375g 130nm硅溶胶(浓度为40%),加纯水稀释至1.0kg;
2)称取200g纯水,缓慢加入15g氨水;
3)称取3g氨三乙酸加入到2)中,搅拌至溶解;
4)称取6g氟化钠加入到3)中,搅拌至溶解;
5)称取3g过硫酸钾加入4)中,搅拌至溶解;
6)将5)加入至1)中,搅拌均匀;
7)加完上述物质后,加纯水至总质量1.5kg,再搅拌10min。
实施例4
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