[发明专利]金属掩模套版及使用方法有效
申请号: | 201210046506.7 | 申请日: | 2012-02-27 |
公开(公告)号: | CN102560337A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 缑洁;张崇宏;张丽卿 | 申请(专利权)人: | 中国科学院近代物理研究所 |
主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04;C23C14/34 |
代理公司: | 兰州振华专利代理有限责任公司 62102 | 代理人: | 张真 |
地址: | 730000 甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 套版 使用方法 | ||
1.一种金属掩模套版,包括掩模后挡板,其特征在于,所述的掩模后挡板呈圆形,圆形掩模后挡板的下部和右侧部具有两条直边;在掩模后挡板的板面上设有样品空间定位孔,样品空间定位孔呈方形,在空间定位孔的四个顶角上设有套版定位孔;还包括有用于测试各向异性材料的霍尔效应和电阻率的第一欧姆接触电极图形掩模板、用于测试各向同性材料的霍尔效应和电阻率的第二欧姆接触电极板、用于分析材料的电容电压特性的绝缘层图形掩模板和用于制作肖特基电极的肖特基接触电极图形掩模板。
2.如权利要求1所述的金属掩模套版,其特征在于,所述的绝缘层图形掩模板,其板面上设有第一样品空间,第一样品空间的四个顶角上设有第一套版定位孔,第一样品空间内设有第一样品孔,所述的第一样品孔呈长方形;绝缘层图形掩模板的形状及所述的第一样品空间的形状、第一套版定位孔均与所述的掩模后挡板的形状及样品空间定位孔形状、套版定位孔匹配设置。
3.如权利要求1所述的金属掩模套版,其特征在于,所述的第一欧姆接触电极板,其板面上设有第二样品空间,第二样品空间的四个顶角上设有第二套版定位孔,第二样品空间内设有第二样品孔,所述的第二样品孔是由围成圆环状的多个小孔组成;第一欧姆接触电极图形掩模板形状及第二样品空间形状、第二套版定位孔均与所述的掩模后挡板的形状及样品空间定位孔形状、套版定位孔匹配设置。
4.如权利要求3所述的金属掩模套版,其特征在于,所述的第二样品孔围成的圆环是所述第二样品空间的内切圆。
5.如权利要求3所述的金属掩模套版,其特征在于,所述的第二样品孔围成的圆环是所述第二样品空间的内切圆,且各个小孔的两个侧边均延伸至第二样品空间的边缘。
6.如权利要求1所述的金属掩模套版,其特征在于,所述的第二欧姆接触电极图形掩模板,其板面上设有第三样品空间,第三样品空间的四个顶角上设有第三套版定位孔,第三样品空间内设有第三样品孔,所述的第三样品孔包括:设置在所述第三样品空间四角上的第三小孔、设置在第三样品空间中间的至少两个第四小孔,和/或设置在所述第三样品空间的四个边中央的第五小孔;第二欧姆接触电极图形掩模板的形状及第三样品空间形状、第三套版定位孔均与所述的掩模后挡板的形状及样品空间定位孔形状、套版定位孔匹配设置。
7.如权利要求1所述的金属掩模套版,其特征在于,所述的肖特基接触电极图形掩模板,其板面上设有第四样品空间,第四样品空间的四个顶角上设有第四套版定位孔,第四样品空间内设有第四样品孔,所述的第四样品孔是设置在第四样品空间中间的至少两个小孔;肖特基接触电极图形掩模板形状及第四样品空间形状、第四套版定位孔均与所述的掩模后挡板的形状及样品空间定位孔形状、套版定位孔匹配设置。
8.如权利要求1至7任一所述的金属掩模套版,其特征在于,所述的套版定位孔呈圆形。
9.如权利要求1至8所述的金属掩模套版的使用方法,其特征在于,包括如下步骤:
1)先将所述的绝缘层图形掩模板与掩模后挡板对准后,陶瓷胶固定,同时,将尺寸为1×1cm2的样品固定安装在所述的第一样品孔上;
2)把步骤1中固定好的金属掩模套版放入溅射台的样品架上,通过反应溅射的方法制备绝缘层薄膜;
3)把第二欧姆接触电极图形掩模板和掩模后挡板对准后,用导电银胶固定,同时,把尺寸为1×1cm2的样品固定在第三样品孔内;
4)把步骤3中固定好的金属掩模套版放入溅射台的样品架上,通过选择至少一个金属靶托来控制需要沉积的电极金属膜层,制作欧姆接触电极,实现各向同性材料的霍尔效应测试;
5)把肖特基接触电极图形掩模板和掩模后挡板对准后,用导电银胶固定,同时,把尺寸为1×1cm2的样品固定在第四样品孔内;
6)把步骤5中固定好的金属掩模套版放入溅射台的样品架上,通过选择金属靶材来控制需要沉积的电极金属膜层。
10.如权利要求9所述的金属掩模套版的使用方法,其特征在于,所述的步骤:
1)是把第一欧姆接触电极图形掩模板和掩模后挡板对准后,用导电银胶固定,同时,把尺寸为1×1cm2的样品固定在第二样品孔内;
2)是把步骤1)中固定好的金属掩模套版放入溅射台的样品架上,通过选择金属靶材来控制需要沉积的电极金属膜层,制作欧姆接触电极,实现各向异性材料的霍尔效应测试。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院近代物理研究所,未经中国科学院近代物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210046506.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种金属陶瓷涂层及其制备方法
- 下一篇:真空油淬炉油烟回收装置
- 同类专利
- 专利分类