[发明专利]微波照射装置无效

专利信息
申请号: 201210044596.6 申请日: 2012-02-23
公开(公告)号: CN102651923A 公开(公告)日: 2012-08-29
发明(设计)人: 河西繁;山崎良二;芦田光利;小畑雄治;田中澄 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H05B6/80 分类号: H05B6/80;H05B6/68;H01L21/67
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李伟;舒艳君
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 微波 照射 装置
【权利要求书】:

1.一种微波照射装置,对被处理体照射微波来进行处理,该微波照射装置的特征在于,具备:

能够进行真空排气的处理容器;

支承所述被处理体的支承台;

向所述处理容器内导入处理气体的处理气体导入装置;

向所述处理容器内导入微波的微波导入装置;

加热所述被处理体的加热装置;

通过冷却气体冷却所述被处理体的气体冷却装置;

测量所述被处理体的温度的辐射温度计;和

温度控制部,其基于所述辐射温度计的测量值来控制所述加热装置与所述气体冷却装置,从而调整所述被处理体的温度。

2.一种微波照射装置,对被处理体照射微波来进行处理,该微波照射装置的特征在于,具备:

能够进行真空排气的处理容器;

支承所述被处理体的支承台;

向所述处理容器内导入处理气体的处理气体导入装置;

向所述处理容器内导入微波的微波导入装置;

通过冷却气体冷却所述被处理体的气体冷却装置;

测量所述被处理体的温度的辐射温度计;和

温度控制部,其基于所述辐射温度计的测量值来控制所述气体冷却装置,从而调整所述被处理体的温度。

3.根据权利要求1或2所述的微波照射装置,其特征在于,

所述气体冷却装置具有设置于所述支承台的上方的喷头部。

4.根据权利要求1或2所述的微波照射装置,其特征在于,

所述气体冷却装置与所述气体导入装置被相互兼用。

5.一种微波照射装置,对被处理体照射微波来进行处理,该微波照射装置的特征在于,具备:

能够进行真空排气的处理容器;

支承所述被处理体的支承台;

向所述处理容器内导入处理气体的处理气体导入装置;

向所述处理容器内导入微波的微波导入装置;

加热所述被处理体的加热装置;

测量所述被处理体的温度的辐射温度计;和

温度控制部,其基于所述辐射温度计的测量值来控制所述加热装置,从而调整所述被处理体的温度。

6.根据权利要求1~2、5中任意一项所述的微波照射装置,其特征在于,

在所述处理容器内的顶板部设置有搅拌由所述微波导入装置导入的微波的搅拌机。

7.根据权利要求6所述的微波照射装置,其特征在于,

在所述搅拌机与所述支承台之间设置有由电介质构成的隔离板。

8.根据权利要求7所述的微波照射装置,其特征在于,

在所述隔离板的周边部形成有用于连通由所述隔离板隔离开的上下的空间的连通孔。

9.根据权利要求1~2、5中任意一项所述的微波照射装置,其特征在于,

所述被处理体隔着多个支承销被支承于所述支承台上。

10.根据权利要求9所述的微波照射装置,其特征在于,

所述支承销是中空的,并形成为真空吸附所述被处理体的背面的真空卡盘机构。

11.根据权利要求10所述的微波照射装置,其特征在于,

所述支承台的下部形成为为了形成所述真空卡盘机构的一部分而被抽真空的卡盘用密闭空间,并且所述卡盘用密闭空间与所述支承销被连通。

12.一种微波照射装置,对被处理体照射微波来进行处理,该微波照射装置的特征在于,具备:

收纳所述被处理体的处理容器;

对所述处理容器内的环境气体进行排气的真空排气系统;

向所述处理容器内导入微波的微波导入装置;

对所述被处理体的下表面喷射冷却气体来进行冷却的气体冷却装置;

具有支承所述被处理体的升降销并且使所述被处理体升降的升降机构;和

真空卡盘机构,其具有形成在所述升降销中的吸引孔,通过由吸引通路将所述吸引孔与所述真空排气系统连接而形成。

13.根据权利要求12所述的微波照射装置,其特征在于,

所述气体冷却装置具有冷却气体喷射箱,所述冷却气体喷射箱配置于所述被处理体的下方,在上表面形成有多个气体喷射孔,并且在内部设置有气体扩散室。

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