[发明专利]使用含有有机溶剂的显影液的显影处理方法和显影处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及对形成抗蚀剂膜并进行曝光处理后的半导体晶片等的基板供给含有有机溶剂的显影液，进行显影处理的显影处理方法和显影处理装置。

背景技术

一般来讲，在半导体晶片等的生产线中，为了在半导体晶片或LCD基板等的基板的表面形成抗蚀剂的图案，使用光刻技术。该光刻技术，依次进行对基板的表面涂布抗蚀剂液的抗蚀剂涂布处理；在形成的抗蚀剂膜曝光图案的曝光处理；和对曝光处理之后的基板供给显影液的显影处理等的一系列的处理，能够在基板的表面形成规定的抗蚀剂图案。

但是，在显影处理中，已知有：在曝光处理中曝光的抗蚀剂膜的区域中，选择性地溶解·除去光照射强度较强的区域，进行图案形成的正片型系统；和选择性地溶解·除去光照射强度较弱的区域，进行图案形成的负片型系统。在该情况下，在负片型系统中，对基板供给含有有机溶剂的显影液，进行显影处理。

于是，在负片型系统在中，作为对基板供给含有有机溶剂的显影液，进行显影处理的方法之一，已知有一边对喷出显影液的喷嘴以固定速度进行扫描一边将显影液连续喷至以固定速度旋转的基板上，而对基板供给显影液的方法(例如参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2010-152353号公报

发明内容

发明想要解决的问题

可是，在专利文献1记载的显影处理方法中，由于将显影液从显影喷嘴连续喷出在以固定速度旋转的基板上，因此在基板的表面上形成的显影液的液膜的厚度变厚。当含有有机溶剂的显影液的液膜变厚时，抗蚀剂膜的溶解和除去速度变慢，因此存在显影处理的处理时间变长的问题。

本发明是基于上述情况完成的，目的在于，提供一种在使用含有有机溶剂的显影液的显影处理中，能够使处理时间缩短并能够提高处理能力的显影处理方法和显影处理装置。

用于解决课题的方法

为了解决上述问题，本发明的显影处理方法，对在表面涂布有抗蚀剂并被曝光后的基板供给含有有机溶剂的显影液并进行显影，上述显影处理方法的特征在于，包括：

液膜形成工序，一边使上述基板旋转一边从显影液供给喷嘴对上述基板的中心部供给上述显影液并形成液膜；和

显影工序，停止从上述显影液供给喷嘴向上述基板供给上述显影液，同时以不使上述显影液的液膜干燥的状态下一边使上述基板旋转，一边对上述基板上的抗蚀剂膜进行显影。

在本发明中，在上述液膜形成工序中，以第一转速使上述基板旋转，在上述显影工序中，以比上述第一转速低且不促进上述显影液的液膜的干燥的第二转速使上述基板旋转，进一步，以比上述第二转速高的第三转速使上述基板旋转，并且从上述显影液供给喷嘴对上述基板的中心部供给上述显影液，优选在上述显影工序中具有将溶解于上述显影液的抗蚀剂成分冲走的清洗工序。

在该情况下，优选：上述第一转速为100rpm～1500rpm，上述第二转速为10rpm～100rpm。

另外，优选：在本发明中，使上述液膜形成工序和上述显影工序交替重复多次。

在该情况下，优选具有：在从上述显影液供给喷嘴对上述基板的中心部供给上述显影液之前，一边使上述基板旋转，一边使上述显影液供给喷嘴从上述基板的周边部向中心部移动，并从上述显影液供给喷嘴将上述显影液连续地供给至上述基板的工序。

另外，优选：在从上述显影液供给喷嘴对上述基板的中心部供给上述显影液之后，一边使上述基板旋转一边使上述显影液供给喷嘴从上述基板的中心部向周边部移动，并从上述显影液供给喷嘴将上述显影液供给至上述基板的工序，和停止从上述显影液供给喷嘴向上述基板供给上述显影液的工序交替重复多次。

在该情况下，上述显影液供给喷嘴也可以设置多个，在上述液膜形成工序中，也可以从上述多个显影液供给喷嘴对上述基板的中心部和中心部以外的部位供给上述显影液，在上述显影工序中，也可以停止从上述多个的显影液供给喷嘴向上述基板供给上述显影液。

优选具有：在从上述显影液供给喷嘴对上述基板供给上述显影液之后，一边使上述基板旋转，一边从冲洗液供给喷嘴对上述基板供给冲洗液的工序，和在从上述冲洗液供给喷嘴对上述基板供给上述冲洗液之后，使上述基板旋转并干燥的工序。