[发明专利]一种H形微纳米光纤表面等离激元传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种H形微纳米光纤表面等离激元传感器，其特征在于：所述传感器包括玻璃套管和封装在玻璃套管内的H形微纳米光纤，所述H形微纳米光纤由单模光纤加工而成，在光纤的圆周面上，沿垂直于光纤轴向的方向对称设有两个凹槽，构成上、下对称敞口的双凹槽结构，凹槽的槽底与光纤纤芯的外表面相切，并且在上、下两个凹槽的槽底均镀有金属薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种H形微纳米光纤表面等离激元传感器，其特征在于：所述金属薄膜为金、银、铝或铂金属薄膜。

3.一种H形微纳米光纤表面等离激元传感器的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

（1）、光纤腐蚀处理：用氢氟酸溶液、氟化铵和水配制氢氟酸缓冲溶液,取单模光纤对其圆周面上对称的两侧进行腐蚀处理，腐蚀深度使内腐蚀平面距离纤芯20μm处，两侧的内腐蚀平面相互平行，腐蚀宽度为246.8μm；

其中，氢氟酸缓冲溶液的配比为按质量比氢氟酸溶液：氟化铵: 水=3:7:10；

（2）、H形微纳米光纤成形处理：将经过氢氟酸缓冲溶液腐蚀过的光纤固定在夹具上，使用研磨机对光纤腐蚀过的两个侧面进行研磨和抛光，在光纤的表面形成两个沿垂直于光纤轴向方向设置的凹槽，构成具有上、下对称敞口的双凹槽结构，两个凹槽的槽底相互平行，研磨深度使凹槽的槽底与光纤纤芯的外表面相切，凹槽宽度为246.8μm；

（3）、金属镀膜处理：在H形微纳米光纤的上、下凹槽的槽底上采用磁控溅射的方法沉积金属薄膜，其中金属薄膜厚度为30～100nm；

（4）、玻璃套管封装：用开放型的玻璃套管封装经过金属镀膜处理的H形微纳光纤，制成H形微纳米光纤表面等离激元传感器。

4.根据权利要求3所述的一种H形微纳米光纤表面等离激元传感器的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中使用到的氢氟酸的浓度为40%。

5.根据权利要求3所述的一种H形微纳米光纤表面等离激元传感器的制备方法，其特征在于：所述步骤（3）中的金属薄膜为金、银、铝或铂金属薄膜。