[发明专利]碳纳米管的形成方法及前处理方法无效
| 申请号： | 201210042950.1 | 申请日： | 2012-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN102649547A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 松本贵士;秋山长之;小泉建次郎 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 金世煜;苗堃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 形成 方法 处理 | ||
1.一种碳纳米管的形成方法，其特征在于，具备以下工序：
准备在表面形成有催化剂金属层的被处理体的工序，
在温度T1下使氧等离子体作用于所述催化剂金属层，形成表面被氧化的催化剂金属微粒的工序，
在比所述温度T1高的温度T2下使氢等离子体作用于所述催化剂金属微粒，将所述催化剂金属微粒的表面还原而进行活化的工序，和
在温度T3下利用热CVD法在所述经活化的催化剂金属微粒上使碳纳米管生长的工序。
2.根据权利要求1所述的碳纳米管的形成方法，其中，所述温度T1在100℃～450℃的范围内，所述温度T2在100℃～550℃的范围内。
3.根据权利要求2所述的碳纳米管的形成方法，其中，所述温度T2和所述温度T1的温度差(T2-T1)为50℃以上。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的碳纳米管的形成方法，其中，在从所述温度T1至所述温度T2的温度变化的过程中，具有基于至少100℃/分钟以上的升温速度的加热区间。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的碳纳米管的形成方法，其中，在同一个处理容器内连续地进行所述活化的工序和所述使碳纳米管生长的工序。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的碳纳米管的形成方法，其中，所述使碳纳米管生长的工序是在所述温度T3为300℃～550℃的范围内进行的。
7.一种前处理方法，其特征在于，是在形成于被处理体上的催化剂金属微粒上利用热CVD法使碳纳米管生长之前进行的，具备以下工序：
准备在表面形成有催化剂金属层的被处理体的工序，
在温度T1下使氧等离子体作用于所述催化剂金属层，形成表面被氧化的催化剂金属微粒的工序，和
在比所述温度T1高的温度T2下使氢等离子体作用于所述催化剂金属微粒，将所述催化剂金属微粒的表面还原而进行活化的工序。
8.根据权利要求7所述的前处理方法，其中，所述温度T1在100℃～450℃的范围内，所述温度T2在100℃～550℃的范围内。
9.根据权利要求8所述的前处理方法，其中，所述温度T2和所述温度T1的温度差(T2-T1)为50℃以上。
10.根据权利要求7～9中任一项所述的前处理方法，其中，在从所述温度T1至所述温度T2的温度变化的过程中，具有基于至少100℃/分钟以上的升温速度的加热区间。
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