[发明专利]终端接入设备和反向以太网工供电状态的检测方法

权利要求书

1.一种终端接入设备，包括受电设备(PD)和与该PD相连的多个以太网口，其特征在于，该设备还包括供电状态检测电路和控制电路，其中：

所述供电状态检测电路，用于检测通过所述以太网口与所述终端接入设备相连的电源供电设备(PSE)电源模块的供电状态，并向所述控制模块输出检测结果；

所述控制电路，用于接收所述供电状态检测电路输出的所述检测结果，当所述检测结果指示所述PSE电源模块正常供电时，控制打开该PSE电源模块对应终端上的以太网口的以太网双向数据转发功能；当所述检测结果指示所述PSE电源模块非正常供电时，控制关闭该PSE电源模块对应终端上的以太网口的以太网双向数据转发功能；

所述控制电路包括中央处理单元(CPU)；

所述供电状态检测电路包括限流电路、光耦合器和防漂移电路，所述限流电路的一端与所述PSE电源模块的正电压输出端相连，所述限流电路的另一端与所述光耦合器中发光二极管的阳极相连，所述光耦合器中发光二极管的阴极与所述防漂移电路的一端相连，所述防漂移电路的另一端分别与所述PSE电源模块的负电压输出端和模拟地线相连，所述光耦合器中光敏三极管的集电极和所述CPU的通用输入输出接口相连，所述光耦合器中光敏三极管的发射极与所述控制电路的数字地线相连；

所述防漂移电路，用于防止所述供电状态检测电路对所述PD的特征阻抗电路的阻抗产生干扰。

2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于：

所述供电状态检测电路和所述PD的特征阻抗电路为并联电路。

3.根据权利要求2所述的设备，其特征在于：

所述限流电路包括限流电阻。

4.根据权利要求2所述的设备，其特征在于：

所述防漂移电路包括场效应(MOS)管驱动电路和MOS管；其中：

所述MOS管驱动电路，用于在所述PSE电源模块输出的电压小于预定阈值时，向所述MOS管发送截止信号；

所述MOS管，用于接收所述MOS管驱动电路发送的截止信号后处于截止状态，以使所述供电状态检测电路对所述PD的特征阻抗电路的阻抗不会产生干扰。

5.根据权利要求2所述的设备，其特征在于：

所述防漂移电路为稳压管，所述稳压管，用于在所述PSE电源模块输出的电压小于预定阈值时，处于非击穿状态，以使所述供电状态检测电路对所述PD的特征阻抗电路的阻抗不会产生干扰。

6.一种反向以太网工供电状态的检测方法，其特征在于，该方法包括：

终端接入设备检测通过以太网口与自身相连的电源供电设备(PSE)电源模块的供电状态，输出检测结果；

所述终端接入设备确定所述检测结果指示所述PSE电源模块正常供电时，控制打开该PSE电源模块对应终端上的以太网口的以太网双向数据转发功能；确定所述检测结果为所述PSE电源模块非正常供电时，控制关闭该PSE电源模块对应终端上的以太网口的以太网双向数据转发功能；

终端接入设备包括供电状态检测电路、控制电路、受电设备PD和与该PD相连的多个以太网口；

所述控制电路包括中央处理单元(CPU)；

所述供电状态检测电路包括限流电路、光耦合器和防漂移电路，所述限流电路的一端与所述PSE电源模块的正电压输出端相连，所述限流电路的另一端与所述光耦合器中发光二极管的阳极相连，所述光耦合器中发光二极管的阴极与所述防漂移电路的一端相连，所述防漂移电路的另一端分别与所述PSE电源模块的负电压输出端和模拟地线相连，所述光耦合器中光敏三极管的集电极和所述CPU的通用输入输出接口相连，所述光耦合器中光敏三极管的发射极与所述控制电路的数字地线相连；

所述防漂移电路，用于防止所述供电状态检测电路对所述PD的特征阻抗电路的阻抗产生干扰。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：

所述终端接入设备检测通过以太网口与自身相连的PSE电源模块的供电状态，输出检测结果，包括：

所述终端接入设备接收所述PSE电源模块提供的电压，当检测到所述电压为零时，输出高电平；当检测到所述电压为预定范围内的数值时，输出低电平。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：

所述终端接入设备确定所述检测结果指示所述PSE电源模块正常供电时，控制打开该PSE电源模块对应终端上的以太网口的以太网双向数据转发功能；确定所述检测结果为所述PSE电源模块非正常供电时，控制关闭该PSE电源模块对应终端上的以太网口的以太网双向数据转发功能，包括：

所述终端接入设备确定检测结果为低电平时，控制打开该终端对应以太网口的以太网双向数据转发功能；确定检测结果为高电平时，控制关闭该终端对应以太网口的以太网双向数据转发功能。