[发明专利]方酸单根纳米线和N型硅异质结光电探测器及制备方法

权利要求书

1.方酸单根纳米线和N型硅异质结光电探测器，其特征在于：所述探测器自上而下依次由方酸单根纳米线（1）、金电极（2）、绝缘衬底（3）、N型硅（4）迭置而成。

2.根据权利要求1所述的方酸单根纳米线和N型硅异质结光电探测器，其特征在于：所述方酸单根纳米线（1）中的方酸为

2,4-bis[4-(N,N-dimethylamino)phenyl]squaraine，

是一种具有较强光电导性的有机小分子材料，其分子式是 C₂₀H₂₀O₂，结构式是：

。

3.根据权利要求1所述的方酸单根纳米线和N型硅异质结光电探测器，其特征在于：所述金电极（2）的尺寸为400μm×400μm，厚度为50nm。

4.根据权利要求1所述的方酸单根纳米线和N型硅异质结光电探测器，其特征在于：所述绝缘衬底（3）为厚度为300nm的二氧化硅。

5.方酸单根纳米线和N型硅异质结光电探测器的制备方法，其特征在于，按如下步骤进行：

a、利用光刻方法在表面氧化层厚度为300nm的N型硅片上面光刻出500μm×500μm的方块图形；

b、显影并刻蚀，选择性的将方形图形区域外的二氧化硅层刻蚀去除，制备出岛屿状500μm×500μm的方块二氧化硅图案；

c、进行二次光刻，在岛屿状500μm×500μm的方形二氧化硅图案正中光刻出400μm×400μm的方块电极图形；

d、通过磁控溅射或电子束沉积方法在方块电极的图形上制备出400μm×400μm的方块电极，电极材料为Au；

e、采用“溶剂挥发法”，制备出方酸单根纳米线，并滴加到制备好的电极上面，在显微镜的帮助下，挑选出能够准确搭在N型硅和金电极之间的方酸单根纳米线。