[发明专利]一种制备二氧化钛纳米花阵列薄膜的方法有效
| 申请号： | 201210040356.9 | 申请日： | 2012-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN102557130A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 吴进明;孙静 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01G23/053 | 分类号： | C01G23/053;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 氧化 纳米 阵列 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备二氧化钛纳米花阵列薄膜的方法，其步骤如下：
1）将质量百分比浓度为50～55%的氢氟酸、质量百分比浓度为65～68%的硝酸与去离子水按体积比1：3：6混合，得酸洗液；
2）在质量百分比浓度为30%的双氧水溶液中添加0.34～0.45摩尔/升的硝酸和0.016～0.024摩尔/升的三聚氰胺，得到反应液；
3）将金属钛基板在上述酸洗液中清洗后，再用去离子水超声波清洗，然后浸入反应液中60～80℃下反应60～72小时；
4）将反应后的钛片取出，用去离子水清洗后，置于60～80℃热水中，用硫酸调节热水pH值到1.0～2.8，反应60～90小时后取出，用去离子水清洗，干燥，得到二氧化钛纳米花阵列薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210040356.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
