[发明专利]基于宽禁带a-SiOx及低温SiO2钝化的背接触N型电池的制备方法

权利要求书

1.基于宽禁带a-SiOx及低温SiO₂钝化的背接触N型电池的制备方法，其特征在于：以N型硅片作为电池板的衬底，进行以下步骤，

（1）    对硅片衬底清洗制绒；

（2）    以三氯氧磷为扩散源对硅片衬底扩散，使形成N+/N前表面场；

（3）    对硅片衬底进行二次清洗；

（4）    在硅片衬底采用湿法的方式形成SiO₂/a-SiNx叠层结构；

（5）    在硅片衬底正面沉积a-SiOx/a-SiNx层；

（6）    丝网印刷背面电极；

（7）    经烧结，形成电池片。

2.根据权利要求1所述的基于宽禁带a-SiOx及低温SiO₂钝化的背接触N型电池的制备方法，其特征在于：所述步骤1具体是指，先采用NaOH溶液去除硅片衬底的损伤层；再采用KOH溶液、异丙醇IPA及制绒添加剂进行绒面刻蚀，最后经HCL溶液浸泡后，用去离子水漂洗、烘干。

3.根据权利要求1所述的基于宽禁带a-SiOx及低温SiO₂钝化的背接触N型电池的制备方法，其特征在于：所述步骤2具体是指，将硅片衬底放入扩散炉内，设定扩散炉的温度在820-860℃，扩散时间为25-35分钟，以三氯氧磷为液态扩散源进行一次性扩散，并控制扩散硅片的方块电阻在30ohm/square左右，然后把扩散后的硅片衬底在HNO₃或HF或H₂O溶液中回刻至100ohm/square左右。

4.根据权利要求1所述的基于宽禁带a-SiOx及低温SiO₂钝化的背接触N型电池的制备方法，其特征在于：所述步骤3具体是指，通过刻蚀机刻蚀掉硅片衬底正面的磷硅玻璃、栅线区域多余磷墨及硅片背面的磷扩散绕射背结，以消除步骤2中扩散对硅片衬底带来的污染。 

5.根据权利要求1所述的基于宽禁带a-SiOx及低温SiO₂钝化的背接触N型电池的制备方法，其特征在于：所述步骤4具体是指，将硅片衬底浸入浓度为68%的硝酸溶液15分钟，随后用2%的稀HF溶液清洗，经去离子水清洗、烘干后，采用PECVD设备在硅片衬底背面沉积一层折射率为2.0-2.2、厚度约为800 ?的a-SiNx薄膜。

6.根据权利要求1所述的基于宽禁带a-SiOx及低温SiO₂钝化的背接触N型电池的制备方法，其特征在于：所述步骤5具体是指，硅片衬底正面经刻蚀机单面刻蚀以去除其表面残留SiO₂，经去离子水清洗、烘干后，采用高频PECVD 设备，以硅烷和二氧化碳为反应气源，在150-200°C的条件下沉积厚度约为100?的a-SiOx薄膜；然后，仍采用PECVD沉积折射率为2.0-2.2、厚度约为800 ?的a-SiNx薄膜，形成a-SiOx/a-SiNx叠层。

7.根据权利要求1所述的基于宽禁带a-SiOx及低温SiO₂钝化的背接触N型电池的制备方法，其特征在于：所述步骤6具体是指，硅片衬底背面采用N型硅墨、P型硅墨或自掺杂银铝浆料，经丝网印刷转印制成栅线结构。

8.根据权利要求7所述的基于宽禁带a-SiOx及低温SiO₂钝化的背接触N型电池的制备方法，其特征在于：所述栅线结构包括一组梳状的P⁺发射结电极和一组N⁺发射结电极，该P⁺发射结电极与N⁺发射结电极相互交叉。

9.根据权利要求1所述的基于宽禁带a-SiOx及低温SiO₂钝化的背接触N型电池的制备方法，其特征在于：所述步骤7具体是指，在温度为600-900°C的链式烧结炉中一次烧结形成电极接触。