[发明专利]柔性CIGS薄膜太阳电池吸收层制备工艺无效
申请号: | 201210035806.5 | 申请日: | 2012-02-17 |
公开(公告)号: | CN103258896A | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
发明(设计)人: | 张建柱 | 申请(专利权)人: | 任丘市永基光电太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 062550 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 cigs 薄膜 太阳电池 吸收 制备 工艺 | ||
1.一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的制备工艺,其特征在于:利用卷对卷的生产工艺,以不锈钢为衬底沉积背电极钼层,然后利用三步法共蒸发的方法沉积CIGS吸收层。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的衬底为25~100μm厚的不锈钢带。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:制备形式采用卷对卷(Roll-To-Roll)的镀膜方式,该绕卷式的工艺是实现大面积薄膜、大批量生产的最佳途径。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:制备的薄膜太阳电池宽度可为300~100mm宽,卷带长500~1000m。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:蒸发室的初始压强为2×10-4Pa。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:吸收层的制备采用三步法,具体包括以下工艺步骤:
(1)在衬底温度300~400℃时,共蒸发In、Ga和Se元素,蒸发时间为15~25分钟。
(2)在衬底温度550~580℃时,共蒸发Cu和Se元素,直到薄膜富铜时结束。
(3)在衬底温度550~580℃时,共蒸发In、Ga和Se元素,最终得到满足化学计量比的CIGS薄膜。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:最终制备的CIGS吸收层的厚度为1.5~2.5μm。
8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:制备的薄膜电池化学计量比接近CuIn1-xGaxSe2。
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