[发明专利]一种铋基钙钛矿型无铅压电陶瓷及其低温制备方法无效

专利信息
申请号: 201210032459.0 申请日: 2012-02-14
公开(公告)号: CN102584195A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 周昌荣;杨华斌;周沁;袁昌来;陈国华;单旭;岑侦勇 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: C04B35/26 分类号: C04B35/26;C04B35/622
代理公司: 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 代理人: 巢雄辉
地址: 541004 广西*** 国省代码: 广西;45
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摘要:
搜索关键词: 一种 铋基钙钛矿型无铅 压电 陶瓷 及其 低温 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种低温烧结钙钛矿结构无铅压电陶瓷,其特征在于:组成通式为(1-x)BiMeO3-xBa(Ti1-uZru)O3+Y,其中xu表示摩尔分数,Y表示多元复合烧结助剂,0<x<0.5,0< u <0.5,0<Y<0.1,式中M为三价金属元素。

2.如权利要求1,所述的钙钛矿结构无铅压电陶瓷,其特征在于:所述的三价金属元素M为Fe、Co、Ni、Sc、Mo、In、Al、Ga和Mn中的一种或多种,其中至少含有Fe。

3.如权利要求1,所述的钙钛矿结构无铅压电陶瓷,其特征在于:所述的多元烧结助剂 Y为Li2CO3、SrCO3、CuO,V2O5, MnO2,SnO2,ZnO,SiO2、Bi2O3、Ba(W0.5Cu0.5)O3、MoO3与B2O3中的多种,其中至少含有CuO、SrCO3、MnO2;其中Y的摩尔比m的组成分别为:0≤m(Li2CO3)≤20%,0<m(SrCO3)≤50%,0<m(CuO)≤50%,0≤m(V2O5)≤15%,0<m(MnO2)≤20%,0≤m(SnO2)≤15%,0≤m(ZnO)≤30%,0≤m(SiO2)≤30%,0≤m(Bi2O3)≤20%,0≤m(MoO3)≤15%,0≤m(B2O3)≤15%,0≤m(Ba(W0.5Cu0.5)≤30%。

4.如权利要求1-3所述的钙钛矿结构无铅压电陶瓷的制备方法,其特征是:采用传统陶瓷的固相合成法,主要步骤如下:

(1)以分析纯Li2CO3、V2O5、SnO2、SiO2、Bi2O3、MoO3、Ba(W0.5Cu0.5)O3、B2O3、CuO、SrCO3、Bi2O3、Li2CO3、MnO2和ZnO中的多种为原料,按照Y的组成进行配料,以无水乙醇为介质球磨,干燥;

(2)以分析纯原料按照化学式(1-x)BiMeO3-xBa(Ti1-uZru)O3进行配料,以无水乙醇为介质球磨24小时,在80℃烘干,放入高铝坩埚加盖,以250℃/h的升温速率到750-850℃保温2小时合成;合成的粉料加入Y多元复合烧结助剂,以无水乙醇为介质球磨24小时,在80℃烘干,加入5%PVA溶液造粒;

(3)在钢模中于100MPa下压制成型;

(4)成型的素片以100℃/h的升温速率在600℃保温2h排胶,再以100℃/min的升温速率到900℃保温2h烧结,以2℃/min的速度降温到850℃保温2h,随炉冷却到室温,烧结后的样品加工成两面光滑、厚度约1mm的薄片,披银电极;

(5)在硅油中极化,极化电场5000V/mm,温度120℃,时间10分钟,保持电场冷却至室温。

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