[发明专利]电路结构及其显示装置有效
申请号: | 201210029899.0 | 申请日: | 2012-02-10 |
公开(公告)号: | CN102543027A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 李卓谕;蔡明翰 | 申请(专利权)人: | 福建华映显示科技有限公司;中华映管股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36;G09G3/20 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
地址: | 350015 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电路 结构 及其 显示装置 | ||
技术领域
本发明是关于一种电路结构,特别是关于一种具有并联晶体管的电路结构,适用于液晶显示面板。
背景技术
参阅第1a图,其为已知技术的板载闸极(gate in panel, GIP)电路的最后一级位移缓存器连接示意图,第1a图包括复数个位移缓存器(shift register)电性串联耦接。参阅第1b图,其为第1a图的等效电路图。如第1a图与第1b图所示,在已知技术中与位移缓存器信号的最后一级输出有关的信号,亦即是GE767 SET/GE769 STV信号的动作是配合CLK、CLKB以及RESET来进行传递。当电路有异常电压发生时,容易在GE767 SET/GE769 STV信号处的电路板板层间,因有许多贯孔集中于该处,容易产生电弧现象而烧毁。如此将使得位移缓存器的最后一条闸极线的输出GE768波形异常,如第2图所示,于显示装置50的最后一条闸极线52有微亮的情形发生。
参阅第1b图,其显示第1a图之位移缓存器的等效电路图。在第1b图中,虚线区域的GE767 SET和GE769 STV信号的线路系为以上述的贯孔跳层方式分布于电路板当中,当该处有异常电压出现时,容易造成跳层烧毁,使显示装置损坏。因此,若能改善电路板中该处的结构,使其避免烧毁,将有助于显示装置的制程良率的提升,并且可延长显示装置的寿命。
发明内容
本发明的目的在于提供一种电路结构,运用于显示装置的电路,可改善其异常输出,使其能达到消除异常电压所造成的电路烧毁情形,且可消除显示装置的亮线以改善图像质量。
为了达到上述目的,根据本发明的一特点是提供一种电路结构,其特征在于,至少包括:
一第一位移缓存器以及耦接该第一位移缓存器的一第二位移缓存器,该第一位移缓存器包括:
一第一晶体管,用于启动该第一位移缓存器,使该位移缓存器开始动作;
一第二晶体管,用于控制该第一位移缓存器的输出;
一第三晶体管,用于关闭该第一位移缓存器的输出;
一第四晶体管,用于清除该第一位移缓存器的输出,以确认该输出是否已正常关闭;
一第五晶体管,用于通知该第二位移缓存器开始动作;及
一第六晶体管,以与该第一晶体管并联,用于当该第一晶体管断路时,持续启动该第一位移缓存器,使该位移缓存器继续执行运作;以及
该第二位移缓存器包括:
一第七晶体管,用于启动该第二位移缓存器,使该第二位移缓存器开始动作;
一第八晶体管,用于控制该第二位移缓存器的输出;
一第九晶体管,用于关闭该第二位移缓存器的输出;
一第十晶体管,用于清除该第二位移缓存器的输出,确认输出是否已正常关闭;及
一第十一晶体管,以与该第十晶体管并联,该第十一晶体管接收一自设启动信号,用于清除该第二位移缓存器的输出,以确认该第二位移缓存器的输出是否已正常关闭。
本发明的另一特点是提供一种显示装置,其特征在于,包括:
一液晶面板,具有一画素数组,用以显示图像;
一GIP电路,具有复数闸极线,以与复数画素数组耦接,该GIP电路藉由产生复数扫瞄信号,以驱动该等画素数组;
一源极驱动器,用以产生复数数据信号,当该等画素数组接收该等扫瞄信号时,该些数据信号输入至该画素数组;
一频率产生器,电性耦接至该GIP电路以及该源极驱动器,用以产生复数频率信号,以控制GIP电路以及该源极驱动器的时序;
该GIP电路还包括一第一位移缓存器以及耦接该第一位移缓存器的一第二位移缓存器,该第一位移缓存器包括:
一第一晶体管,用于启动该第一位移缓存器,使该位移缓存器开始动作;
一第二晶体管,用于控制该第一位移缓存器的输出;
一第三晶体管,用于关闭该第一位移缓存器的输出;
一第四晶体管,用于清除该第一位移缓存器的输出,以确认该输出是否已正常关闭;
一第五晶体管,用于通知该第二位移缓存器开始动作;及
一第六晶体管,以与该第一晶体管并联,用于当该第一晶体管断路时,持续启动该第一位移缓存器,使该位移缓存器继续执行运作;以及
该第二位移缓存器包括:
一第七晶体管,用于启动该第二位移缓存器,使该第二位移缓存器开始动作;
一第八晶体管,用于控制该第二位移缓存器的输出;
一第九晶体管,用于关闭该第二位移缓存器的输出;
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