[发明专利]获得NVM位元的I-V曲线的数字方法

说明书

技术领域

本发明一般涉及非易失性存储器(NVM)和用于操作非易失性存储器的方法。在一个方面，本发明涉及用于获得闪存或电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)内的存储器单元的电流-电压(I-V)曲线的方法和装置。

背景技术

闪存和电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)是用于数据处理系统，诸如微控制器、微处理器、计算机和其它电子设备(诸如汽车的嵌入控制器)的信息的非易失性存储器存储的非易失性存储器(NVM)类型，其存储当去除设备的电源时需要保存的数据。EEPROM单元和闪存存储器单元的特性可被以位元(bitcell)电流-电压(I-V)曲线描述，电流-电压(I-V)曲线绘出了EEPROM基于施加到其字线上的电压(将字线设置为特定电压)传输的漏极电流(drain current)。NVM位元I-V曲线是用于故障分析、研究位元问题和潜在地识别即将发生的与位元有关的故障的有用的诊断工具。例如，当位元的绘制的I-V曲线的斜率偏离正常时，可以使用位元的I-V曲线确定具有不良跨导(GM)的位，从而可以在其成为现场应用中的故障之前检测该位。另外，位元I-V曲线可以帮助识别其它类型的潜在问题，例如，泄漏的位元，以及确定短路和开路的位元。随着NVM存储器单元的尺寸持续减小，从而产生了可能导致NVM的失效状态的可靠性和性能问题，这些问题日益受到关注。用于产生多个位元的位元电流-电压(I-V)曲线的常规诊断技术使用参数测量单元(PMU)硬件，以便在扫描栅极电压时获得多个电流测量结果，但是这些技术慢，并且需要在大部分用户应用环境中不能容易地获得的测试硬件(例如，PMU硬件或等同的装置)。另外，漏极电流输出管脚通常不能被嵌入NVM应用在用户模式下访问。

附图说明

当结合下列附图考虑下列的详细描述时，可以理解本发明，并且获得其多个目的、特征和优点，其中：

图1是具有用于产生位元I-V曲线的诊断电路的NVM的框图；

图2是示出了示例位元的位元I-V曲线的图；

图3是一个简化示意流程图，示出了在生产测试流程期间产生参考电流和相关联的数字寄存器设置值的校准表的方法；

图4是一个简化示意流程图，示出了在用户测试模式期间产生位元I-V曲线的方法；

图5是一个电流-电压曲线，示出了被在每个Vg和每个参考测试的位元的感测放大器输出。

具体实施方式