[发明专利]获得NVM位元的I-V曲线的数字方法

权利要求书

1.一种用于产生非易失性存储器位元的电流-电压特性信息的方法，包括：

产生与选择的数字寄存器设置值对应的选择的参考电流；

对所述选择的参考电流和在给非易失性存储器位元施加扫描栅极电压时由所述非易失性存储器位元产生的漏极电流进行比较，直到识别出转变栅极电压为止；和

将所述转变栅极电压和选择的参考电流存储为所述非易失性存储器位元的电流-电压特性信息。

2.如权利要求1的方法，还包括从测试闪存存储器中获得校准表，所述校准表包括多个参考电流值和对应的多个数字寄存器设置值。

3.如权利要求2的方法，其中获得校准表包括：

将可数字微调参考电流电路的数字寄存器设置值设置为第一值；

测量由所述可数字微调参考电流电路产生的参考电流；和

将所测量的参考电流和所述第一值保存为所述校准表内的值对。

4.如权利要求1的方法，其中产生选择的参考电流包括：将选择的数字寄存器设置值应用于可数字微调参考电流电路，以便产生所述选择的参考电流。

5.如权利要求1的方法，其中对所述选择的参考电流和所述非易失性存储器位元的漏极电流进行比较包括：将所述选择的参考电流和所述非易失性存储器位元的漏极电流施加于感测放大器电路。

6.如权利要求1的方法，其中对所述选择的参考电流和所述非易失性存储器位元的漏极电流进行比较包括：在多个栅极电压下执行所述非易失性存储器位元的单个地址读取。

7.如权利要求1的方法，其中通过从低到高增加栅极电压给所述非易失性存储器位元施加所述扫描栅极电压，直到由所述非易失性存储器位元产生的漏极电流大于所述选择的参考电流，从而所述位元的感测放大器输出从逻辑0改变为1。

8.如权利要求1的方法，其中通过从高到低减小栅极电压给所述非易失性存储器位元施加所述扫描栅极电压，直到由所述非易失性存储器位元产生的漏极电流小于所述选择的参考电流，从而所述位元的感测放大器输出从逻辑1改变为0。

9.如权利要求1的方法，还包括：

产生与不同的数字寄存器设置值对应的第二参考电流；

对所述第二参考电流和在给非易失性存储器位元施加扫描栅极电压时由所述非易失性存储器位元产生的漏极电流进行比较，直到识别出第二转变栅极电压为止；和

将第二转变栅极电压和第二参考电流存储为所述非易失性存储器位元的电流-电压特性信息，从而定义所述非易失性存储器位元的多个电流-电压曲线点。

10.如权利要求1的方法，其中存储转变栅极电压和选择的参考电流包括：将所述转变栅极电压和选择的参考电流存储为所述非易失性存储器位元的电流-电压曲线上的点。

11.一种存储器设备，包括：

布置在行和列的阵列内的多个非易失性存储器位元；

存储对应于多个参考电流值的多个数字寄存器设置值的校准表存储器；

参考电流产生器电路，用于产生与从所述校准表存储器选择的数字寄存器设置值对应的选择的参考电流；

栅极电压产生器电路，用于产生多个扫描栅极电压；

行解码器，用于将所述多个扫描栅极电压施加于选择的非易失性存储器位元；和

感测放大器电路，用于对所述选择的参考电流和在给非易失性存储器位元施加所述多个扫描栅极电压时由所述非易失性存储器位元产生的漏极电流进行比较，直到识别出转变栅极电压为止。

12.如权利要求11的存储器设备，还包括：用于存储包括第一选择的参考电流值和对应的第一转变栅极电压的多个电流-电压值对的存储器。

13.如权利要求11的存储器设备，还包括：一个或更多个数据输出端口，用于输出包括第一选择的参考电流值和对应的第一转变栅极电压的多个电流-电压值对。

14.如权利要求11的存储器设备，其中所述多个非易失性存储器位元包括布置在行和列内的多个非易失半导体存储器晶体管，每个所述存储器晶体管包括源极、漏极和栅极，所述栅极是可注入电子并且可被放电的浮动栅极，其中半导体存储器晶体管的每行内的所有晶体管的栅极被连接到对应的字线，其中每列内的所有晶体管的漏极被连接到对应的位线，并且其中每行内的所有晶体管的源极被连接到对应的源极控制线。