[发明专利]一种存储单元的识别方法及一种灵敏放大器

说明书

技术领域

本申请涉及集成电路技术，特别是涉及一种存储单元的识别方法及一种灵敏放大器。

背景技术

在flash等存储器中，灵敏放大器(Sense Amplifier)是非常重要的电路，因为无论是在存储器的读过程中还是在写过程中都需要读出存储器中存储单元(cell)的数据，这时就需要用到灵敏放大器。因此，灵敏放大器的主要作用是把通过存储单元和参考单元的微小电流差检测出来，从而将存储单元所存储的数据位的状态识别出来，判定存储单元是处于已擦除状态(已擦除单元)还是已编程状态(已编程单元)。

现有技术中，为获得存储单元中所存储的数据位的状态，需要对存储单元和参考单元施加相同的读电压，由于存储单元和参考单元的电荷状态不同，从而导致产生不同的电流。然后，灵敏放大器将所述存储单元中所存储数据位的状态对应的电压与参考单元中所存储数据位的状态对应的电压读取出来，并进行比较，即可获得存储单元中所存储的数据位的状态。

但是，由于存储单元位线上的负载电容很大，导致存储单元上的电压变化缓慢，直接影响了灵敏放大器的读出速度，读出速度会变得非常慢，而灵敏放大器的速度在很大程度上也会影响存储器的读性能。

发明内容

本申请提供了一种存储单元的识别方法及一种灵敏放大器，以解决灵敏放大器的读速度慢的问题。

为了解决上述问题，本申请公开了一种存储单元的识别方法，包括：

通过对存储单元和参考单元分别施加不同的读电压，增大存储单元支路和参考单元支路上的电流差；

将所述参考单元支路上的电流镜像到存储单元的支路上，存储单元的支路上产生充/放电过程；

在所述充/放电过程中读取存储单元支路上的电压，并将所读取的电压与阈值进行比较，依据比较结果确定所述存储单元是已擦除状态还是已编程状态。

优选地，所述对存储单元和参考单元分别施加不同的读电压，包括：对参考单元施加的读电压高于对存储单元施加的读电压。

优选地，将所述参考单元支路上的电流镜像到存储单元的支路上，存储单元的支路上产生充电过程；在所述充电过程中读取存储单元支路上的电压，并将所读取的电压与第一阈值进行比较，如果所读取的电压高于所述第一阈值，则所述存储单元是已编程状态；否则，所述存储单元是已擦除状态。

优选地，在所述充电过程中读取存储单元支路上的电压，包括：在所述充电过程中读取存储单元支路上电压升高的极值电压。

优选地，所述对存储单元和参考单元分别施加不同的读电压，包括：对存储单元施加的读电压高于对参考单元施加的读电压。

优选地，将所述参考单元支路上的电流镜像到存储单元的支路上，存储单元的支路上产生放电过程；在所述放电过程中读取存储单元支路上的电压，并将所读取的电压与第二阈值进行比较，如果所读取的电压低于所述第二阈值，则所述存储单元是已擦除状态；否则，所述存储单元是已编程状态。

优选地，在所述放电过程中读取存储单元支路上的电压，包括：在所述放电过程中读取存储单元支路上电压降低的极值电压。

本申请还提供了一种灵敏放大器，包括：

镜像电路，用于当存储单元和参考单元通过施加不同的读电压，增大存储单元支路和参考单元支路上的电流差时，将所述参考单元支路上的电流镜像到存储单元的支路上，存储单元的支路上产生充/放电过程；

Read Logic读逻辑模块，用于在所述充/放电过程中读取存储单元支路上的电压，并将所读取的电压与阈值进行比较，依据比较结果确定所述存储单元是已擦除状态还是已编程状态。

其中，所述镜像电路包含PMOS管11和PMOS管21，PMOS管11的栅极与PMOS管21的栅极相连，PMOS管11的漏极连接到参考单元的支路上，PMOS管21的漏极连接到存储单元的支路上；PMOS管21的漏极和参考单元的支路的连接点，与所述Read Logic读逻辑模块的输入端相连。

优选地，如果对参考单元施加的读电压高于对存储单元施加的读电压，则所述镜像电路将所述参考单元支路上的电流镜像到存储单元的支路上，存储单元的支路上产生充电过程；所述Read Logic读逻辑模块在所述充电过程中读取存储单元支路上的电压，并将所读取的电压与第一阈值进行比较，如果所读取的电压高于所述第一阈值，则所述存储单元是已编程状态；否则，所述存储单元是已擦除状态。