[发明专利]一种存储单元的识别方法及一种灵敏放大器

权利要求书

1.一种存储单元的识别方法，其特征在于，包括：

通过对存储单元和参考单元分别施加不同的读电压，增大存储单元支路和参考单元支路上的电流差；

将所述参考单元支路上的电流镜像到存储单元的支路上，存储单元的支路上产生充/放电过程；

在所述充/放电过程中读取存储单元支路上的电压，并将所读取的电压与阈值进行比较，依据比较结果确定所述存储单元是已擦除状态还是已编程状态。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对存储单元和参考单元分别施加不同的读电压，包括：

对参考单元施加的读电压高于对存储单元施加的读电压。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：

将所述参考单元支路上的电流镜像到存储单元的支路上，存储单元的支路上产生充电过程；

在所述充电过程中读取存储单元支路上的电压，并将所读取的电压与第一阈值进行比较，如果所读取的电压高于所述第一阈值，则所述存储单元是已编程状态；否则，所述存储单元是已擦除状态。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述充电过程中读取存储单元支路上的电压，包括：

在所述充电过程中读取存储单元支路上电压升高的极值电压。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对存储单元和参考单元分别施加不同的读电压，包括：

对存储单元施加的读电压高于对参考单元施加的读电压。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：

将所述参考单元支路上的电流镜像到存储单元的支路上，存储单元的支路上产生放电过程；

在所述放电过程中读取存储单元支路上的电压，并将所读取的电压与第二阈值进行比较，如果所读取的电压低于所述第二阈值，则所述存储单元是已擦除状态；否则，所述存储单元是已编程状态。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述放电过程中读取存储单元支路上的电压，包括：

在所述放电过程中读取存储单元支路上电压降低的极值电压。

8.一种灵敏放大器，其特征在于，包括：

镜像电路，用于当存储单元和参考单元通过施加不同的读电压，增大存储单元支路和参考单元支路上的电流差时，将所述参考单元支路上的电流镜像到存储单元的支路上，存储单元的支路上产生充/放电过程；

Read Logic读逻辑模块，用于在所述充/放电过程中读取存储单元支路上的电压，并将所读取的电压与阈值进行比较，依据比较结果确定所述存储单元是已擦除状态还是已编程状态。

9.根据权利要求8所述的灵敏放大器，其特征在于：

所述镜像电路包含PMOS管11和PMOS管21，PMOS管11的栅极与PMOS管21的栅极相连，PMOS管11的漏极连接到参考单元的支路上，PMOS管21的漏极连接到存储单元的支路上；

PMOS管21的漏极和参考单元的支路的连接点，与所述Read Logic读逻辑模块的输入端相连。

10.根据权利要求8所述的灵敏放大器，其特征在于：

如果对参考单元施加的读电压高于对存储单元施加的读电压，则

所述镜像电路将所述参考单元支路上的电流镜像到存储单元的支路上，存储单元的支路上产生充电过程；

所述Read Logic读逻辑模块在所述充电过程中读取存储单元支路上的电压，并将所读取的电压与第一阈值进行比较，如果所读取的电压高于所述第一阈值，则所述存储单元是已编程状态；否则，所述存储单元是已擦除状态。

11.根据权利要求8所述的灵敏放大器，其特征在于：

如果对存储单元施加的读电压高于对参考单元施加的读电压，则

所述镜像电路将所述参考单元支路上的电流镜像到存储单元的支路上，存储单元的支路上产生放电过程；

所述Read Logic读逻辑模块在所述放电过程中读取存储单元支路上的电压，并将所读取的电压与第二阈值进行比较，如果所读取的电压低于所述第二阈值，则所述存储单元是已擦除状态；否则，所述存储单元是已编程状态。

12.根据权利要求10或11所述的灵敏放大器，其特征在于：

所述Read Logic读逻辑模块包括多路比较电路和选择器，其中每路比较电路包含串联的反相器和开关，存储单元支路上读取的电压输入到每个反相器的输入端，反相器的输出端连接开关；选择器通过控制开关选择其中一路比较电路；每个反相器的阈值不同，每个反相器可将所读取的电压与阈值进行比较，依据比较结果确定所述存储单元是已擦除状态还是已编程状态；

所述Read Logic读逻辑模块还包括控制电压读取时间的电路，所述控制电压读取时间的电路由两个首尾互相相连的反相器组成。