[发明专利]闪烁晶体阵列及具有其的闪烁探测器有效
申请号: | 201210025490.1 | 申请日: | 2012-02-06 |
公开(公告)号: | CN102565841A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 刘亚强;王石;魏清阳;马天予;夏彦 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G01T1/202 | 分类号: | G01T1/202 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 宋合成 |
地址: | 100084 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 闪烁 晶体 阵列 具有 探测器 | ||
1.一种用于闪烁探测器的闪烁晶体阵列,其特征在于,所述闪烁晶体阵列由多个晶体单元按预定设计排列而成,且所述多个晶体单元通过光学胶或硅油相连,其中每个所述晶体单元的外表面的一部分上镀有反光膜以便所述多个晶体单元上的反光膜共同限定出闪烁晶体阵列的出光面。
2.根据权利要求1所述的用于闪烁探测器的闪烁晶体阵列,其特征在于,所述多个晶体单元上的反光膜的分布被设计为控制每个所述晶体单元内产生的闪烁光沿预定路线传播。
3.根据权利要求1或2所述的用于闪烁探测器的闪烁晶体阵列,其特征在于,每个所述晶体单元由单个长条形晶体块或多个长条形晶体块拼接而成。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的用于闪烁探测器的闪烁晶体阵列,其特征在于,所述反光膜通过浸镀、喷镀、真空蒸镀和离子镀中的至少一种形成在所述晶体单元上。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的用于闪烁探测器的闪烁晶体阵列,其特征在于,所述反光膜具有全反特性或半反半透特性。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的用于闪烁探测器的闪烁晶体阵列,其特征在于,所述反光膜为单层或多层。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的用于闪烁探测器的闪烁晶体阵列,其特征在于,所述晶体单元由选自下面材料之一或它们的组合构成:
锗酸铋、硅酸镥、硅酸钇镥、硅酸钆镥、硅酸钆、硅酸钇、氟化钡、碘化钠、碘化铯、钨酸铅、铝酸钇、溴化镧、氯化镧、钙钛镥铝、焦硅酸镥、铝酸镥和碘化镥。
8.一种闪烁探测器,其特征在于,包括:
闪烁晶体阵列,所述闪烁晶体阵列为根据权利要求1-7中任一项所述的用于闪烁探测器的闪烁晶体阵列;和
光电探测器,所述光电探测器与所述闪烁晶体阵列耦合以从所述闪烁晶体阵列的出光面接收闪烁光。
9.根据权利要求8所述的闪烁探测器,其特征在于,所述光电探测器为光电倍增管、多像素光子计数器、硅光电倍增管、血崩二极管、电子倍增电感耦合器件中的一种。
10.根据权利要求8或9所述的闪烁探测器,其特征在于,所述光电探测器与所述闪烁晶体阵列通过硅油、有机玻璃和有机塑料中的一种耦合。
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