[发明专利]半导体激光器件

权利要求书

1.一种面发射半导体激光器件，包括：

衬底，其具有上表面及下表面；

多个半导体层，其至少包括最下层以及最上层，其中，所述最下层被布置在所述衬底的所述上表面上，所述多个半导体层具有形成在其中的边发射激光器，用于在所述激光器被激发时产生具有激射波长的激光，所述激光器具有第一端面及第二端面，其中，当所述激光器被激发时，具有所述激射波长的所述激光通过所述第二端面离开所述激光器；

形成在所述多个半导体层中一个或多个层中的沟道；

设置在所述沟道中的聚合物材料，所述聚合物材料至少包括下表面及斜侧面，所述聚合物材料的所述下表面与所述沟道接触，所述斜侧面大致面对所述边发射激光器的所述第二端面；以及

布置在所述聚合物材料的所述斜侧面上的反射器，其中，离开所述边发射激光器的所述第二端面的所述激光的至少一部分入射在所述反射器上，并且沿与所述衬底的所述上表面大致垂直的方向被所述反射器反射。

2.根据权利要求1所述的面发射半导体激光器件，其中，所述反射器包括布置在所述聚合物材料的所述斜侧面上的金属层。

3.根据权利要求2所述的面发射半导体激光器件，其中，所述边发射激光器是法布里-珀罗(F-P)激光器，并且其中，所述金属层是高反射率(HR)涂层的一部分，其涂布所述边发射激光器的所述第一端面及所述第二端面，以及所述聚合物材料的所述斜侧面。

4.根据权利要求2所述的面发射半导体激光器件，其中，所述边发射激光器是分布反馈型(DFB)激光器，并且其中，所述边发射激光器的所述第一端面及第二端面以及所述聚合物材料的所述斜侧面被防反射(AR)涂层涂布，并且其中，所述反射器被布置在所述AR涂层上。

5.根据权利要求2所述的面发射半导体激光器件，其中，所述边发射激光器是法布里-珀罗(F-P)激光器，并且其中，所述边发射激光器的所述第一端面及第二端面以及所述聚合物材料的所述斜侧面被高反射率(HR)涂层涂布，并且其中，包括所述反射器的所述金属层被布置在所述HR涂层上。

6.根据权利要求1所述的面发射半导体激光器件，其中，所述聚合物材料的所述斜侧面为大致平坦表面，其相对于所述衬底的所述上表面成一定角度。

7.根据权利要求6所述的面发射半导体激光器件，其中，所述角度大致为45度。

8.根据权利要求7所述的面发射半导体激光器件，其中，离开所述第二端面的激光沿所述边发射激光器的波导传播，所述波导具有光轴，所述光轴相对于所述斜侧面的所述大致平坦表面成大致45度的角度。

9.根据权利要求8所述的面发射半导体激光器件，其中，所述边发射激光器的所述波导的所述光轴与所述衬底的所述上表面大致平行。

10.一种制造面发射半导体激光器件的方法，所述方法包括以下步骤：

在衬底上，沉积或生长至少包括最下层及最上层的多个半导体层，其中，所述最下层被布置在所述衬底的上表面上；

在所述多个半导体层中一个或更多层中，形成用于产生具有激射波长的激光的边发射激光器，所述激光器具有第一端面及第二端面，其中，如果所述激光器被激发，则由所述激光器产生的所述激光通过所述第二端面；

在所述多个半导体层中形成沟道；

在所述沟道中设置聚合物材料，所述聚合物材料至少包括下表面及斜侧面，所述斜侧面大致面对所述边发射激光器的所述第二端面；并且

在所述聚合物材料的所述斜侧面上形成反射器。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述反射器包括金属层。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述边发射激光器是法布里-珀罗(F-P)激光器，所述方法还包括以下步骤：

在形成所述反射器之前，利用高反射率(HR)涂层来涂布所述边发射激光器的所述第一端面及第二端面以及所述聚合物材料的所述斜侧面，并且其中，将所述反射器布置在所述HR涂层上。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述边发射激光器是分布反馈型(DFB)激光器，所述方法还包括以下步骤：

在形成所述反射器之前，利用防反射(AR)涂层来涂布所述边发射激光器的所述第一端面及第二端面以及所述聚合物材料的所述斜侧面，并且其中，将所述反射器布置在所述AR涂层上。