[发明专利]有机发光器件有效

专利信息
申请号: 201210024598.9 申请日: 2006-05-08
公开(公告)号: CN102569661A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: H·阿兹兹;波波维克;J·A·科甘;胡南星 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;钟强
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 有机 发光 器件
【说明书】:

本申请为2006年5月8日递交的申请号为200610078536.0并且发明名称为“有机发光器件”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及有机发光器件。

背景技术

有机发光器件(OLED)代表了显示应用领域中比较有发展前景的技术。传统器件结构含有(1)透明前电极;(2)多层有机发光区域(通常至少两层),其含有至少小分子或聚合物有机电致发光材料;以及(3)后电极。OLED通常层压在基板上。前后电极其中之一为电子注入阴极,而另一个为空穴注入阳极。当在电极上施加电压时,从发光区域发出的光经过透明前电极传达给观测者。通常,发光区域含有:(1)靠近阴极的至少一电子传输材料层;(2)靠近阳极的至少一空穴传输材料层;以及(3)位于空穴传输层和电子传输层之间的电致发光材料层。

通过有机发光材料的层迭已经制备了许多OLED。这种器件含有作为电致发光物质的单晶材料,诸如专利号为No.3,530,325的美国专利(在此引入其公开内容作为参考)中所述的单晶蒽。这些类型的器件可能需要100V或者更大数量级的激发电压。

如上所述,OLED通常形成为多层结构。在美国专利No.4,356,429、4,539,507、4,720,432和4,769,292(这里引入其公开作为参考)中公开了具有双层发光区域的OLED,该双层发光区域含有与支持空穴传输的阳极相邻的一有机层以及与支持电子传输的阴极相邻的另一有机层,并且该发光区域用作器件的电致发光区域。

美国专利No.4,769,292公开了一种具有电致发光材料层的传统OLED,该电致发光材料层含有空穴传输层、电致发光层以及向发光层加入荧光掺杂物材料的电子传输层。在其他传统OLED结构中,诸如在美国专利No.4,720,432中所述的OLED结构,该OLED还含有夹在空穴传输层和阳极之间的缓冲层。该空穴传输层和缓冲层的组合形成双层空穴传输区域。这一点在S.A.Van Slyke等人在Appl.Phys.Lett.69,pp.2160-2162(1996)(在此引入其公开作为参考)中的“Organic Electroluminescent Devices with Improved Stability(具有改进稳定性的有机电致发光器件)”中进行了讨论。

还曾经尝试从含有混和层的OLED中获得电致发光,例如,在单层中把空穴传输材料和发射电子传输材料混和在一起的混和层。例如,Kido等人在Appl.Phys.Lett.61,pp.761-763(1992)中发表的“Organic Electroluminescent Devices Based On Molecularly Doped Polymers”;S.Naka等人在Jpn.J.Appl.Phys.33,pp.L1772-L1774(1994)中发表的“Organic Electroluminescent Devices Using a Mixed Single Layer(采用混和单层的有机电致发光器件)”;W.Wen等人在Appl.Phys.Lett.71,1302(1997);以及C.Wu等人在IEEE Transaction on Electron Devices 44,pp.1269-1281(1997)中提出的“Efficient Organic Electroluminescent Devices Using Single-Layer Doped Polymer Thin Film with Bipolar Carrier Transport Abilities”。该发光材料可以是空穴传输或者电子传输材料其中之一。根据一实施方式,还可以是除空穴传输和电子传输材料以外的可以发光的第三材料。

在美国专利No.5,853,905、No.5,925,980、No.6,130,001(在此引入其公开作为参考)中可以发现由单有机层形成的其他OLED的实施例,该单有机层含有空穴传输材料和电子传输材料。正如S.Naka等人所指出的,这些单混和层OLED不如多层有机发光器件有效。这些仅含有由诸如NPB(N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基-联苯胺)的空穴传输材料和诸如AlQ3(三(8-羟基喹啉)铝)构成的单混和层的器件不稳定并且效率较差。人们认为由于在该混和层中的电子传输材料和空穴诸如材料之间直接接触导致了这些器件的不稳定,这导致:(1)形成不稳定的阳离子电子传输材料;并且(2)该混和层/阴极接触面不稳定。

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