[发明专利]电弧离子镀装置有效

专利信息
申请号: 201210023630.1 申请日: 2012-02-03
公开(公告)号: CN102650041A 公开(公告)日: 2012-08-29
发明(设计)人: 仙北屋和明;田中裕介 申请(专利权)人: 三菱综合材料株式会社
主分类号: C23C14/32 分类号: C23C14/32
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 杨晶;王琦
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电弧 离子镀 装置
【权利要求书】:

1.一种电弧离子镀装置,其特征在于,

蒸发源中不包括从端面向内部预定宽度的端部区域的内侧区域表面的磁通量密度为10~15mT,所述端部区域表面的磁通量密度大于所述内侧区域表面的磁通量密度,并且从所述蒸发源的表面到工件的距离为120~300mm,该距离之间的磁通量密度的绝对值的累计值为260mT·mm以下。

2.如权利要求1所述的电弧离子镀装置,其特征在于,

在所述蒸发源的背面以相比于周边部使蒸发源的表面的磁通量密度集中于中央部并变大的方式设置中央磁铁,在蒸发源的半径方向外侧设置极性相反的双层环状磁铁,并且中央磁铁和双层环的内侧的极性相反。

3.如权利要求1或2所述的电弧离子镀装置,其特征在于,

所述端部区域表面的磁通量密度比所述内侧区域表面的磁通量密度大3mT以上。

4.如权利要求1或2所述的电弧离子镀装置,其特征在于,

所述蒸发面上的磁力线相对于所述蒸发面的法线的角度θ为0°<θ<20°,在所述端部区域表面朝向所述内侧区域倾斜。

5.如权利要求3所述的电弧离子镀装置,其特征在于,

所述蒸发面上的磁力线相对于所述蒸发面的法线的角度θ为0°<θ<20°,在所述端部区域表面朝向所述内侧区域倾斜。

6.如权利要求1或2所述的电弧离子镀装置,其特征在于,

所述内侧区域的磁通量密度的标准偏差为3以下。

7.如权利要求3所述的电弧离子镀装置,其特征在于,

所述内侧区域的磁通量密度的标准偏差为3以下。

8.如权利要求4所述的电弧离子镀装置,其特征在于,

所述内侧区域的磁通量密度的标准偏差为3以下。

9.如权利要求5所述的电弧离子镀装置,其特征在于,

所述内侧区域的磁通量密度的标准偏差为3以下。

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