[发明专利]利用聚焦强磁场干预配合物结晶生长的研究用装置

权利要求书

1.利用聚焦强磁场干预配合物结晶生长的研究用装置，该装置的结构包括一块永磁体，该永磁体呈板状、块状或柱状，该永磁体有两个磁极，该永磁体的两个磁极其位置分别对应于该永磁体的两个表面位置，以及，两支导磁臂，该导磁臂其构成材料是软磁性材料，该导磁臂其轮廓呈L形、C形或U形，每一支导磁臂的一端与所述永磁体的一个磁极贴合联接在一起，每一支导磁臂的余下的一端其轮廓呈锥体状，分别来自两支所述导磁臂的所述其轮廓呈锥体状的两个端头相互邻近形成磁隙结构。

2.根据权利要求1所述的利用聚焦强磁场干预配合物结晶生长的研究用装置，其特征是，在该磁隙结构位置放置有盘状的或杯状的用于配合物晶体生长的器皿。

3.根据权利要求1所述的利用聚焦强磁场干预配合物结晶生长的研究用装置，其特征是，所述永磁体其材料是钕铁硼永磁体。

4.根据权利要求1所述的利用聚焦强磁场干预配合物结晶生长的研究用装置，其特征是，所述永磁体其材料是硬磁铁氧体。

5.根据权利要求1所述的利用聚焦强磁场干预配合物结晶生长的研究用装置，其特征是，所述软磁性材料是纯铁材料。

6.根据权利要求2所述的利用聚焦强磁场干预配合物结晶生长的研究用装置，其特征是，在该盘状的或杯状的用于配合物晶体生长的器皿的开口端位置覆盖有有机聚合物薄膜，以及，该有机聚合物薄膜上开设有一个以上的孔洞。