[发明专利]一种低压差线性稳压器及芯片

权利要求书

1.一种低压差线性稳压器，与直流电源和负载相连接，其特征在于，所述低压差线性稳压器包括：

电流源模块、第一电流镜、电流镜驱动模块、第二电流镜、第三电流镜、第四电流镜、第五电流镜以及第一稳压二极管；

所述电流源模块的第一输入端同时与所述直流电源的输出端、所述第一电流镜的输入端、所述第二电流镜的输入端及所述第三电流镜的输入端相连接，所述电流源模块的第二输入端接所述第一电流镜的第一输出端，所述电流源模块的输出端接地，所述第一电流镜的第二输出端接所述电流镜驱动模块的第一输入端，所述电流镜驱动模块的第二输入端和第三输入端分别与所述电流源模块的输出端和所述第二电流镜的第一输出端相连接，所述第四电流镜的第一输入端和第二输入端分别与所述第二电流镜的第二输出端和所述第三电流镜的第一输出端相连接，所述第四电流镜的第一输出端接所述第一稳压二极管的阴极，所述第四电流镜的第二输出端接所述负载，所述第五电流镜的第一输入端和第二输入端分别与所述电流镜驱动模块的输出端和所述第三电流镜的第二输出端相连接，所述第五电流镜的第一输出端和第二输出端均与所述第一稳压二极管的阳极和地相连接。

2.如权利要求1所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述电流源模块包括：

电阻R3、NMOS管M1、NMOS管M2及电阻R4；

所述电阻R3的第一端为所述电流源模块的第一输入端，所述NMOS管M1的漏极为所述电流源模块的第二输入端，所述NMOS管M1的栅极同时与所述电阻R3的第二端及所述NMOS管M2的漏极相连接，所述NMOS管M2的栅极同时与所述NMOS管M1的源极和所述电阻R4的第一端相连接，所述NMOS管M2的源极为所述电流源模块的输出端，所述电阻R4的第二端同时与所述NMOS管M2的源极和地相连接。

3.如权利要求1所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述电流源模块包括：

电阻R5、NPN型三极管M14、NPN型三极管M15及电阻R6；

所述电阻R5的第一端为所述电流源模块的第一输入端，所述NPN型三极管M14的集电极为所述电流源模块的第二输入端，所述NPN型三极管M14的基极同时与所述电阻R5的第二端及所述NPN型三极管M15的集电极相连接，所述NPN型三极管M15的基极同时与所述NPN型三极管M14的发射极和所述电阻R6的第一端相连接，所述NPN型三极管M15的发射极为所述电流源模块的输出端，所述电阻R6的第二端同时与所述NPN型三极管M15的发射极和地相连接。

4.如权利要求1所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述第一电流镜包括PMOS管M3和PMOS管M4，所述PMOS管M3的源极和所述PMOS管M4的源极共同构成所述第一电流镜的输入端，所述PMOS管M3的栅极和源极共接后再与所述PMOS管M4的栅极连接，所述PMOS管M3的漏极和所述PMOS管M4的漏极分别为所述第一电流镜的第一输出端和第二输出端。

5.如权利要求1所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述电流镜驱动模块包括稳压二极管D2和NMOS管M5，所述稳压二极管D2的阴极和阳极分别为所述电流镜驱动模块的第一输入端和第二输入端，所述NMOS管M5的栅极接所述稳压二极管D2的阴极，所述NMOS管M5的漏极和源极分别为所述电流镜驱动模块的第三输入端和输出端。

6.如权利要求1所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述第二电流镜包括PMOS管M6和PMOS管M7，所述PMOS管M6的源极和所述PMOS管M7的源极共同构成所述第二电流镜的输入端，所述PMOS管M6的栅极和源极共接后再与所述PMOS管M7的栅极连接，所述PMOS管M6的漏极和所述PMOS管M7的漏极分别为所述第二电流镜的第一输出端和第二输出端。