[发明专利]基于铌酸锂光子线的光波长分离器

权利要求书

1.一种基于LN光子线的光波长分离器，其特征在于，由铌酸锂基底、二氧化硅覆层和两条铌酸锂光波导组成；其中，一条是直的铌酸锂光波导，另一条是具有相同波导宽度和高度的部分直、部分弯曲的铌酸锂光波导，铌酸锂光波导的高度均为0.73μm，铌酸锂光波导的顶部宽度均为0.5μm；构成该波长分离器的两条光波导平行部分的轴间距S_c＝0.75μm，耦合长度L_c＝19.6μm，输出端口波导间距2.6μm，输出端口波导弯曲部分由两条平行的贝氏曲线组合而成。

2.如权利要求1所述的基于LN光子线的光波长分离器，其特征在于，所述的贝氏曲线是由以下五个点确定的：(9.8，0.625)，(12.325，0.75)，(14.85，1.5625)，(17.375，2.375)，(19.9，2.5)。

3.权利要求1所述的基于LN光子线的光波长分离器的制备方法，其特征在于，该方法首先制作基于绝缘体的铌酸锂样本，铌酸锂样本包括直接黏附在1.3微米厚的二氧化硅层上的730纳米厚的单晶LN层，二氧化硅层是经过用等离子体增强化学气相沉积法涂敷在全等的Z切铌酸锂基底的Z面，即LN薄膜与厚度为0.5mm的LN基底有全等的晶体取向；LN薄膜的表面用化学机械抛光工艺处理后达到0.5纳米的rms粗糙度；然后将1.7μm厚和0.5μm宽的光阻条带用作刻蚀掩膜，光阻在120℃下经过1个小时的退火，接着，在Oxford Plasmalab System 100内，在100W射频功率诱导下耦合成为等离子体，在70W射频功率下耦合至铌酸锂样本表面，经60分钟氩铣蚀刻，端面抛光，即得。