[发明专利]具有低弯曲损耗的宽带宽光纤

权利要求书

1.一种光纤，其从中央到外围包括：

中央纤芯，其具有半径r₁、阿尔法折射率分布、以及至少由氟和使折射率升高的元素掺杂的基质；

内包层，其具有宽度w₂、以及相对于外光包层的折射率差Δn₂；

埋入沟槽，其具有半径r₃、在2μm到10μm范围内的宽度w₃、以及相对于所述外光包层的折射率差Δn₃，所述的折射率差Δn₃在-15×10^-3到-6×10^-3范围内；和

所述外光包层；

其中，所述氟与所述中央纤芯的掺杂基质的所有组分之间的原子比C_F，从所述光纤的中央到所述半径r₁增加；并且在所述半径r₁处，氟与所述中央纤芯的掺杂基质的所有组分之间的原子比C_F的最大值C_F，MAX，在8.5×10^-3到57×10^-3范围内。

2.根据权利要求1所述的光纤，其中，所述中央纤芯中使折射率升高的掺杂剂是锗，所述中央纤芯的基质由二氧化硅制成。

3.根据权利要求2所述的光纤，其中，在所述半径r₁处，所述埋入沟槽的折射率差Δn₃和氟与所述中央纤芯的掺杂基质的所有组分之间的原子比的最大值C_F，MAX满足下面的关系：

C_F，MAX×1000＞-10.06×1000×Δn₃-82.06。 

4.根据权利要求2或3所述的光纤，其中，在所述半径r₁处，所述埋入沟槽的折射率差Δn₃和氟与所述中央纤芯的掺杂基质的所有组分之间的原子比的最大值C_F，MAX满足下面的关系：

C_F，MAX×1000＞-8.28×1000×Δn₃-48.28。

5.根据权利要求2或3或4所述的光纤，其中，在所述半径r₁处，所述埋入沟槽的折射率差Δn₃和氟与所述中央纤芯的掺杂基质的所有组分之间的原子比的最大值C_F，MAX满足下面的关系：

C_F，MAX×1000＞-8×1000×Δn₃-42.28。

6.根据前面的权利要求中任一项所述的光纤，其中，氟与所述中央纤芯的掺杂基质的所有组分之间的原子比C_F和距所述光纤的中央的径向距离r的函数关系由下面的表达式给出：

其中，

r₁是所述中央纤芯的半径；

p是基本上等于2的常数；以及

是小于1.25×10^-3的正常数。 

7.根据前面的权利要求中任一项所述的光纤，其中，所述中央纤芯的阿尔法折射率分布具有参数阿尔法α，所述参数阿尔法α具有在1.9到2.1范围内的值。

8.根据前面的权利要求中任一项所述的光纤，其中，所述中央纤芯相对于所述外光包层的折射率差Δn₁具有最大值，该最大值在10×10^-3到18×10^-3范围内，优选地该最大值在11×10^-3到16×10^-3范围内。

9.根据前面的权利要求中任一项所述的光纤，其中，所述内包层的宽度w₂在0.5μm到2μm的范围内，并且所述内包层相对于所述外光包层的折射率差Δn₂在-0.2×10^-3到2×10^-3范围内。

10.根据前面的权利要求中任一项所述的光纤，其中，所述埋入沟槽的宽度w₃在3μm到5μm的范围内。