[发明专利]将Nandflash的物理块按无效页数量进行排序的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种将Nandflash(与非型闪存)的物理块按无效页数量进行排序的方法。

背景技术

Nandflash在最近几年里得到了突飞猛进的发展，由SLC(1位/单元)技术发展到了MLC(多位/单元)技术，同时Nandflash的生产工艺也不断进步。随着技术的发展，Nandflash容量不断增大，单位容量的成本也大幅降低，应用Nandflash的领域也越来越多。

Nandflash的擦写次数是有限的，在擦写的时候要尽量擦除无效页数量最多的块，因此在Nandflash控制器的设计中，选择无效页数量最多的块，是一个非常必要的功能。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种将Nandflash的物理块按无效页数量进行排序的方法，可以在较短的时间内完成排序，提高排序的效率。

为解决上述技术问题，本发明的将Nandflash的物理块按无效页数量进行排序的方法是采用如下技术方案实现的：

第一步，将无效页数相同的物理块串联成一个子排序链表；

第二步，将各子排序链表按无效页数由多到少依次串联起来，形成一个包含所有物理块的排序链表。

所述排序链表采用链表结构。

本发明采用链表结构对Nandflash的物理块进行排序，可以在较短的时间内完成排序。

附图说明

下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

附图是将Nandflash的物理块按无效页数量进行排序的方法流程图。

具体实施方式

本发明中各变量的定义见下表1：

表1

对Nandflash的物理块进行排序的排序链表结构，每一物理块均有对应的链表项，每一项包含两个指针，一个指向当前物理块的前一个物理块，另一个指向当前物理块的后一个物理块。每一物理块在链表中都有4个字节，其含义如下表2所示：

表2

这样对物理块的排序就变成了对排序链表中每一项的PBP和NBP进行赋值。

本发明的方法是在已知每个物理块中无效页数量的基础上进行排序的。结合附图所示，在一实施例中，具体步骤如下：

第1步：将无效页数相同的物理块串联成一个子链表，即将Nandflash的物理块按照其无效页数量分成PN+1组(PN是物理块中所含的物理页数)。

1.1、对变量i赋值0，读取第i个物理块的无效页数量，将其赋值给N。无条件转到步骤1.2。

1.2、判断GRP_N_HP是否等于NULL，若是转到步骤1.3；若否，转到步骤1.4。

1.3、依次执行以下赋值，然后无条件转到步骤1.5。

1.3.1、对变量GRP_N_HP赋值i；

1.3.2、对变量GRP_N_EP赋值i。

1.4、依次执行以下赋值，然后无条件转到步骤1.5。

1.4.1、对物理块GRP_N_HP的PBP赋值为i；

1.4.2、对物理块i的NBP赋值为GRP_N_HP；

1.4.3、对GRP_N_HP赋值为i。

1.5、将变量i的值加1，然后读取第i个物理块的无效页数量，将其赋值给N，转到步骤1.6。

1.6、判断i是否小于物理块数量BN，若是则转到步骤1.2；若否则结束。

第二步：将各子链表按无效页数由多到少依次串联起来，即将PN+1组物理块按其无效页数量由多到少进行串联，串联成一个包含所有物理块的排序链表。

2.1、对变量i赋值PN，无条件转到步骤2.2。

2.2、判断GRP_i_HP是否等于NULL，若是转到步骤2.6；若否，转到步骤2.3。

2.3、判断HEAD是否等于NULL，若是转到步骤2.4；若否，转到步骤2.5。

2.4、依次完成以下赋值，然后无条件转到步骤2.6。

2.4.1、对HEAD赋值为GRP_i_HP；

2.4.2、对HEAD所指物理块的PBP赋值为NULL；

2.4.3、对TAIL赋值为GRP_i_EP。

2.5、依次完成以下赋值，然后无条件转到步骤2.6。

2.5.1、对TAIL所指物理块的NBP赋值为GRP_i_HP；

2.5.2、对GRP_i_HP所指物理块的PBP赋值为TAIL；