[发明专利]发光强度测量装置有效

专利信息
申请号: 201210020091.6 申请日: 2012-01-20
公开(公告)号: CN102621112A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 田口步 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: G01N21/64 分类号: G01N21/64
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 发光强度 测量 装置
【权利要求书】:

1.一种发光强度测量装置,包括:

光接收单元,被构造为与具有其中容纳样本的多个间格的生物芯片相对地设置,并且包括排列的多个光接收元件;

确定部,被构造为基于预先获得的光接收元件的噪声特性来确定每一光接收元件的权重比;

乘算部,被构造为将所述每一光接收元件的输出乘以所述权重比以计算所述每一光接收元件的加权输出;以及

加算部,被构造为将分别与间格中的一个相对的光接收元件的加权输出相加。

2.根据权利要求1所述的发光强度测量装置,

其中,所述确定部采用与所述光接收元件的噪声强度的平方的倒数成正比的值作为所述权重比。

3.根据权利要求2所述的发光强度测量装置,

其中,所述确定部基于在光接收元件组中的光接收元件的接收光强度分布来计算所述权重比,其中,所述光接收元件组由与同一间格相对的光接收元件组成。

4.根据权利要求3所述的发光强度测量装置,

其中,所述确定部采用与所述接收光强度分布成正比的值作为所述权重比。

5.根据权利要求4所述的发光强度测量装置,

其中,所述确定部将所述权重比标准化,使得每一光接收元件组关于同一接收光强度提供相同的输出。

6.根据权利要求5所述的发光强度测量装置,

其中,所述光接收元件为互补金属氧化物半导体图像传感器。

7.根据权利要求1所述的发光强度测量装置,

其中,所述光接收单元为图像传感器或者线传感器。

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