[发明专利]用于可控硅阀组检测的实验站

说明书

技术领域

此发明是在电力专业内以动力半导体技术为基础，可以当成正反并联可控硅阀组TCR、异步电机软启动及其它设备的等效电流源和电压源使用，并对其进行实验。 

背景技术

众所周知用于可控硅阀组HVDC实验检测方式(专利ABB IPN：WO02/067003A1，IPC：G01R31/333)包括被测阀组Vt，电流源CUS，电压源VOS，电压振荡回路(Cs，L2ИVa5)，脉冲形成器IG和其它环节组成。 

此实验检测方式接线只针对单向可控硅阀组而言。 

这个用于TCR可控硅阀组检测实验台(Baoliang Sheng，Senior Member，IEEE；Marcio Oliveira，Member，IEEE；Hans-Ola Bjarme，“Synthetic Test Circuits for the Operational Tests of TCR and TSC Thyristor Valves”.-IEEE-PES T&D Conference，Chicago，Illinois，USA，April 21-22，2008)，(参见Fig.1)，包括用于连接被测阀组(Vt1₊/Vt1_-)的接地母线和等电位母线，单极性的直流电压源(DC Source)，连接在直流电压源输出端第一组电容器组C2，在电压振荡回路中串联有第二组电容器组Cs，电抗器组L1和第一个可控硅阀组Va3/Va4，第二个输出端连接在接地母线上。同时还包括有串连在第一组电容器C2上的可控硅阀组Va2和电抗器L2，与之并联的电压振荡回路中电容器组Va2。除此之外还有电流回路(G/Lg，Ls，Va1₊/Va1_-)和包含有并联被检测可控硅阀组冲击回路(Imp Gen.)Vt1₊/Vt1_-

此实验台在电压振荡回路不平衡工作时存在有严重不足，即：当第二组电容器组Cs再次充电时由第一组电容器组C2经过可控硅阀组Va2和电抗器L2只有单极性电压。同样的，在被检测可控硅阀组Vt1₊/Vt1电流周波和电压周波上也是如此，并且正极和负极上的参数会不一致。除此之外，电压振荡回路不能保证实验台长时间对被检测可控硅阀组Vt1₊/Vt1进行实验，只能进行时间约为系统电压半个周波的长度检测；第二组电容器组Cs再次充电时每个周波都需要补充时间并且要保证可控硅阀组Va2的安全切除。结论即：此种方法不能实现在整流过电压尖峰时投入被检测可控硅阀组Vt1₊/Vt1_-。并且它还有另一个严重的不足，即直流电压源(DC Source)和第一组电容器C2必须保持高电压(达到80kV)，可控硅阀组Va2的再次充电是这个电压的两倍。 

发明内容

本发明的目的是提供一种用于可控硅阀组检测的实验站，扩大了实验的负载特性，保证了被检测可控硅阀组电流周波和电压周波的平衡性，简化了复杂的实验设备，提高了实验的安全运行状态。 

为实现上述目的，本发明通过以下技术方案实现： 

用于可控硅阀组检测的实验站，包括用于连接被检测可控硅阀组的接地母线和等电位母线；直流电压源；连接在直流电压源输出端的第一组电容器；由第二组电容器、电抗器及第一个可控硅阀组串联组成的电压振荡回路；电压振荡回路的输出端与等电位母线相连，本发明的特征在于，该试验台设有整流环节；直流电压源和第一组电容器都是双方向极性的，并且直流电压源和第一组电容器的零点均连接在接地母线上；整流环节的输出端与电压振荡回路相连接，其正极和负极的连接与第一组电容器、直流电压源的极性相对应。 

所述的整流环节是由连接在整流环节正极和输出端之间的第二个可控硅阀组、及连接在整流环节负极和输出端之间的第三个可控硅阀组构成的，第二个可控硅阀组、第三个可控硅阀组均由成对的正反并联的可控硅和二极管组成。