[发明专利]集成电路设计与制造方法有效
申请号: | 201210015548.4 | 申请日: | 2012-01-18 |
公开(公告)号: | CN103218466A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 侯信铭;龚吉富 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 史新宏 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路设计 制造 方法 | ||
技术领域
本发明为一种集成电路设计与制造方法,尤指针对集成电路布局中热点进行检测与评分的系统化与阶层化分析的集成电路设计与制造方法。
背景技术
从集成电路设计开始到集成电路产品实际制作完成,需要经过相当多阶段的过程。因此,若是到集成电路产品制作完成后才发现产品有缺陷,必须从头开始找出问题所在,势必拖慢产品推出的速度。有鉴于此,在电路布局设计过程中,传统手段中已经可利用一些简单法则,例如最小关键尺寸(minimum Critical Dimension),或是实体模型(physical model)来筛出较无法容忍制程变异的区域,企图提早找出量产时容易出错的热点(hotspots)并加以改善,进而提早消除产品完成后可能的弱点。但是,此类方法缺乏系统化与阶层化的分析步骤,造成推测出来的热点(hotspots)与产品完成后的实际电性表现(performance)有着相当大的差距,导致提升良率(yield)成效并不显着,而如何改善此等已知手段的缺失,便是发展本发明的主要目的。
发明内容
本发明的目的在于提供一种集成电路设计与制造方法,其包含下列步骤:提供一集成电路布局;至少从集成电路布局中找出一第一组热点与一第二组热点;根据第一组热点与第二组热点与一产品功能特性而产生一热点评分;以及当热点评分大于一标准值时,利用第一组热点与第二组热点对集成电路布局进行修正。
在本发明的较佳实施例中,上述第一组热点为与系统缺陷相关的热点,上述第二组热点为与随机缺陷相关的热点。
在本发明的较佳实施例中,从上述集成电路布局中还找出一第三组热点,上述第三组热点为与参数排斥相关的热点,并根据上述第一组热点、上述第二组热点、上述第三组热点与上述产品功能特性而产生上述热点评分。
在本发明的较佳实施例中,从上述集成电路布局中还找出一第四组热点,上述第四组热点为与量产机台的灵敏度相关的热点,并根据上述第一组热点、上述第二组热点、上述第四组热点与上述产品功能特性而产生上述热点评分。
在本发明的较佳实施例中,从上述集成电路布局中还找出一第三组热点与一第四组热点,上述第三组热点为与参数排斥相关的热点,上述第四组热点为与量产机台的灵敏度相关的热点,并根据上述第一组热点、上述第二组热点、上述第三组热点、上述第四组热点与上述产品功能特性而产生上述热点评分。
在本发明的较佳实施例中,上述产品功能特性包含有一速度取向功能特性或一省电取向功能特性。
在本发明的较佳实施例中,根据上述第一组热点与上述第二组热点与一产品功能特性而产生上述热点评分的方法包含下列步骤:根据上述产品功能特性对上述第一组热点进行加权评分而得到相对应上述第一组热点的一第一组评分;根据上述产品功能特性对上述第二组热点进行加权评分而得到相对应上述第二组热点的一第二组评分;以及将上述第一组评分与上述第二组评分进行总和而得致上述热点评分。
在本发明的较佳实施例中,利用上述第一组热点与上述第二组热点对上述集成电路布局进行修正的方法包含对上述集成电路布局对应的一光罩图案进行一光学邻近修正。
在本发明的较佳实施例中,利用上述第一组热点与上述第二组热点对上述集成电路布局进行修正的方法包含通过使用金属槽与假填充。
在本发明的较佳实施例中,还包含下列步骤:当上述热点评分小于上述标准值时,进入一生产线上的真实硅晶圆验证。
在本发明的较佳实施例中,上述生产线上的真实硅晶圆验证中包含下列步骤:进行硬件错误的撷取;以及根据撷取到的硬件错误,于真实硅晶圆的电路布局中寻找出与热点相关的电路布局图案后进行修正。
在本发明的较佳实施例中,上述生产线上的真实硅晶圆验证中包含下列步骤:进行软件错误的撷取;以及根据撷取到的软件错误于真实硅晶圆的电路布局中寻找出与热点相关的电路布局图案后进行修正。
在本发明的较佳实施例中,还包含下列步骤:将无法克服的热点送进一热点数据库,并根据其缺陷的类别加以分类;以及将上述热点数据库中的热点所对应的电路布局反馈给电路布局设计者。
附图说明
图1A~图1D为本发明所发展出来可对集成电路布局中热点进行检测与评分的系统化与阶层化分析方法的流程示意图。
图2为完成于集成电路芯片上的多层内连接导线结构的剖面示意图。
图3为利用仲裁步骤的结果所进行的后续处理。
[主要元件标号说明]
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