[发明专利]闪烁体面板、其制造方法和放射线检测设备

说明书

技术领域

本发明涉及闪烁体面板、其制造方法和放射线检测设备。

背景技术

近年来，在具有多个光电转换器的传感器面板上层叠用于将诸如X射线的放射线转换成诸如可见光的光的闪烁体层的数字放射线检测设备已经在商业上可用。闪烁体材料主要是基于碱金属卤化物(alkali halide)的材料，所述基于碱金属卤化物的材料以通过在CsI中掺杂Tl而制备的材料和通过在GdOS中掺杂Tb而制备的材料为代表(typify)。特别地，以CsI为代表的基于碱金属卤化物的闪烁体材料可通过气相沉积方法来形成和生长柱状晶体(columnar crystal)。在将放射线转换成可见光时，柱状晶体闪烁体表现出光引导效应，并且有助于提高锐度(sharpness)。

已尝试了各种方法来控制闪烁体的柱状晶体形状并提高锐度。例如，日本专利No.04345460公开了用于通过逐渐增加气相沉积中的柱状晶体形成速度以控制柱状晶体形状来提高锐度的方法。日本专利公开No.2005-337724公开了通过控制气相沉积中的蒸发源的分压(partial pressure)来提高锐度的方法。

为了提高闪烁体的亮度和DQE(检测量子效率，Detective Quantum Efficiency)，需要使得闪烁体膜是厚的。一般地，随着具有柱状晶体的闪烁体膜变厚，柱状晶体直径变大。作为增加闪烁体膜厚度的结果，锐度趋于降低。即使在日本专利No.04345460和日本专利公开No.2005-337724中公开的方法中，当为了高的闪烁体亮度和高的DQE而使得闪烁体膜是厚的时，柱状晶体直径也增加并且不能期望得到令人满意的锐度。

发明内容

本发明提供有利于在增加闪烁体膜厚度的同时防止锐度降低的技术。

本发明的第一方面提供一种闪烁体，该闪烁体包括具有第一表面和第二表面的闪烁体层，所述第一表面和第二表面是彼此相对的表面，其中，闪烁体层包含多个柱状部分，每个柱状部分包含用于将放射线转换成光的柱状晶体，并且，各柱状部分的柱状晶体具有从第一表面和第二表面之间的中间部分向着第一表面和第二表面增加的直径。

本发明的第二方面提供一种放射线检测设备，该放射线检测设备包括：作为第一方面被限定的闪烁体；和包含光电转换器的传感器面板，所述光电转换器检测通过闪烁体的闪烁体层被转换的光。

本发明的第三方面提供一种用于制造闪烁体的方法，该方法包括：第一生长步骤，在第一基板上生长多个第一柱状晶体以形成包含所述多个第一柱状晶体的第一闪烁体层；分离步骤，使第一基板与第一闪烁体层分离；以及第二生长步骤，沿与第一生长步骤中的生长所述多个第一柱状晶体的方向相反的方向，从在所述分离步骤之后露出的所述多个第一柱状晶体的部分生长多个第二柱状晶体，由此形成包含所述多个第二柱状晶体的第二闪烁体层。

本发明的第四方面提供一种用于制造闪烁体的方法，该方法包括：生长步骤，从基板的多个突出部分生长柱状晶体，以形成包含所述多个柱状晶体的闪烁体层；以及分离步骤，使所述基板与所述闪烁体层分离。

参照附图阅读示例性实施例的以下描述，本发明的其它特征将变得清晰。

附图说明

图1是示意性地表示根据本发明的优选实施例的闪烁体的闪烁体层中的柱状部分的结构的例子的表；

图2是用于解释根据第一实施例的放射线检测设备的结构的断面图；

图3A～3E是用于解释根据第一实施例的闪烁体和放射线检测设备的制造方法的断面图；

图4A～4E是用于解释根据第二实施例和第三实施例的闪烁体和放射线检测设备的制造方法的断面图；

图5A～5C是用于解释根据第四实施例、第五实施例和第六实施例的放射线检测设备的结构的断面图；

图6A～6C是用于解释根据第四实施例、第五实施例和第六实施例的放射线检测设备的制造方法的断面图；

图7A～7E是用于解释根据第七实施例的闪烁体和放射线检测设备的制造方法的断面图；以及

图8是用于解释放射线成像系统的示图。

具体实施方式

现在将参照附图详细描述本发明的优选实施例。