[发明专利]一种新型光罩基准标记版图无效
申请号: | 201210014986.9 | 申请日: | 2012-01-18 |
公开(公告)号: | CN102540699A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 何伟明;吴林 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F9/00 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 王敏杰 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 基准 标记 版图 | ||
技术领域
本发明涉及一种光罩基准标记版图,尤其涉及一种能够有效识别光罩正确位置朝向的光罩基准标记版图。
背景技术
光罩是集成电路生产流程中最关键的生产要素之一,通常,集成电路设计公司设计出晶片电路图之后,制作成光罩,再送至晶圆代工厂进行晶圆代工、封装和测试,晶片内壁电路设计越精密,需要的光罩层数越多,费用也就越高,目前晶片一般至少需要八层光罩,如特殊应用的积体电路(ASIC);如果是动态随机存取记忆体(DRAM)则需要二、三十层光罩。因此光罩在生产使用过程中的管理历来是有效管理洁净室的重要研究课题。
由于现代集成电路的关键元件具有很小的尺寸,因而使光罩的有效表面(图案化表面)上不被污染非常重要,否则,在处理过程中,污染物会损坏光罩有效表面、或则使投影至光刻胶层上的图案发生畸变,从而导致最终产品质量无法令人接受。
光罩盒是用来储存光罩的盒子,是光罩最基本的保护装置,主要目的是用于避免光罩遭受外部微尘粒子及化学污染,光罩除使用期间外,无论是搬移或保存,都需要放置在光罩盒内以确保光罩的洁净度。不同类型光刻机对应的光罩基准标记版图设计存在很大差异,使用过程中在光罩盒中的摆放位置也不同,因此,确保光罩在光罩盒中的正确摆放是光罩管理环节中的一个重要项目。
例如,尼康光刻机类型的光罩的对准标记是左右上下基本一致的并以光罩中心点呈左右对称分布,但在实际操作很难识别光罩正确的朝向,因为该光罩基准设计版图中,条形码虽然是单边设置,但没明显的上下方向提示,且在光罩盒中会被光罩盒左右两侧的黑色顶部外壁所遮挡,在实际操作中常常被忽略。一旦反方向位置摆放,无论低端的尼康步进光刻机(SF15*系列)或高端的尼康光刻机(S6**系列)都不会因此报警提示错误,从而导致图形被错误的曝光到硅片上,严重影响生产线的安全,这样的管理疏失是芯片制造厂家无法忍受的。
发明内容
针对现有光罩实际生产过程中难以识别光罩位置摆放的难题,本发明提供了一种新型的光罩基准设计方案,从而降低光罩在实际使用过程中发生位置摆放错误而造成损失的几率,有效提高光罩管理的安全性和效率。
因此,本发明的目的是提供一种新型光罩基准设计版图,在版图上标有醒目的标记作为光罩方位识别标记。
具体地,本发明新型光罩基准设计版图中,所述光罩方位识别标记可以是图案、文字、字母、或其任意组合。
其中,所述图案如箭头、五角星、三角形、米字型图案等。
本发明所述的新型光罩基准设计版图中,所述光罩方位识别标记优选为位于操作时靠近机台方向、远离操作人员的一端。
本发明所述的新型光罩基准设计版图中,还包括主图形区、遮光带,所述遮光带环绕包围所述主图形区;所述光罩方位识别标记位于主图形区和遮光带外部。
本发明所述的新型光罩基准设计版图中,还可以包括条形码区,条形码区可以是位于所述版图的两侧或一侧,并且条形码区在主图形区和遮光带的外部。
本发明所述的新型光罩基准设计版图中,还可以包括光刻对准标记。光刻对准标记环绕遮光带外部排布。
其中,主图形区和遮光带两侧对称分布有14个侧部光刻对准标记,两端对称分布有4个端部光刻对准标记。所述端部光刻对准标记紧邻所述遮光带,可以与遮光带部分重叠。
本发明上述的新型光罩基准设计版图中,所述遮光带宽度优选为1.5mm。
本发明上述的“两侧”、“两端”指的是操作过程中,以靠近操作者和机台的为两端,左右为两侧。
本发明新型光罩基准设计版图,引入了光罩方位识别标记,在生产线上,操作员根据光罩方位识别标记标示的方位和指向作为统一的识别标记,来决定光罩在光罩盒中摆放位置,从而降低光罩在实际使用过程中发生位置摆放错误而造成损失的几率,有效提高光罩管理的安全性和效率。
附图说明
图1为本发明新型光罩基准设计版图一种实施例结构示意图;
图2为本发明新型光罩基准设计版图另一种实施例结构示意图。
具体实施方式
本发明提供了一种新型的光罩基准设计方案和光罩基准设计版图,在版图的一端设有光罩方位识别标记,这样可以使操作员根据光罩方位识别标记标示的方位和指向作为统一的识别标记,来决定在光罩盒中的摆放位置。
下面参照附图,通过具体实施例对本发明新型光罩基准设计版图进行详细的介绍和描述,以使更好的理解本发明,但是应当理解的是,下述实施例并不限制本发明范围。
实施例1
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备