[发明专利]荧光体及其发光装置

说明书

技术领域

本发明涉及荧光体，特别是使用荧光体的发光装置。

背景技术

近年，使用半导体发光的发光装置被广泛地使用，特别是发光二极管已被成功开发，此发光装置较已知的冷阴极灯管、白炽灯等发光设备，具有高发光效率、体积小、低耗电力与低成本等优点，因此可作为各种光源来使用。而半导体发光装置包含半导体发光组件与荧光体，荧光体可吸收并转换半导体发光组件所发出的光，藉由半导体发光组件所发出的光与荧光体转换发出的光两者混合使用。此种发光装置可作为荧光灯、车辆照明、显示器、液晶背光显示等各种领域使用。

现行的白光二极管发光装置，主要藉由补色原理进行开发。由半导体发光组件发出蓝光，往荧光体入射后，荧光体吸收并转换为黄光发出，蓝光与黄光混合同时进入人眼时，人则感受为白光。例如若使用InGaN为发蓝光的半导体，黄色荧光体为(Y,Gd)₃(Al,Ga)₅O₁₂：Ce，则可达到上述效果。

又，亦可利用发出紫外线的发光组件与可发出RGB(红色、绿色、蓝色)光的荧光体组合，放出白色光。再者，亦有使用放出紫外线的发光组件，使发出蓝色光的荧光体发光，藉由该蓝色光使发出黄色光的荧光体激发，发出荧光，而混合发出白色等光。

然而，由于目前使用的发光装置领域越来越广泛，且市售的黄色荧光体(Y,Gd)₃(Al,Ga)₅O₁₂：Ce系列，其发光辉度明显不足，无法满足业界需求，且在提升发光辉度的同时，易造成发光色度发生偏移现象。因此如何能满足应用于各种发光装置并同时达到辉度提升的荧光体，已成现行荧光体技术开发重点之一。

发明内容

本发明涉及荧光体与发光装置，具有优异的发光特性。

一种荧光体，所述荧光体的通式为((Lu_mA_1-m)_zCe_1-z)₃Q₅O₁₂，其中0＜m＜1，0＜z＜1，A包含钇(Y)元素、镧(La)元素、钆(Gd)元素中的一种或几种，Q包含铝(Al)元素、镓(Ga)元素、铟(In)元素中的一种或几种，Lu为镏元素，O为氧元素，Ce为铈元素，1.74≤(m*z+1-z)*3≤3.0，0.1≤(1-m)*z*3≤1.35。

进一步地，0.1≤(1-m)*z*3≤1.27。

所述荧光体的通式中A是钇(Y)元素、镧(La)元素、钆(Gd)元素中的一种或几种。

在以波长为455nm的光照射激发下，所述荧光体发出光的CIE1931色坐标为0.349＜x＜0.444，0.538＜y＜0.584。

所述荧光体的通式中A是钇(Y)元素、镧(La)元素、钆(Gd)元素中的一种或几种，2.5≤(m*z+1-z)*3≤3.0，0.1≤(1-m)*z*3≤0.21。

在以波长为455nm的光照射激发下，所述荧光体发出光的CIE1931色坐标为0.370＜x＜0.400，0.570＜y＜0.580。

所述荧光体的通式中A是钇(Y)元素、镧(La)元素、钆(Gd)元素中的一种或几种，2.3≤(m*z+1-z)*3≤2.49，0.22≤(1-m)*z*3≤0.70。

在以波长为455nm的光照射激发下，所述荧光体发出光的CIE1931色坐标为0.400＜x＜0.418，0.560＜y＜0.570。

所述荧光体的通式中A是钇(Y)元素、镧(La)元素、钆(Gd)元素中的一种或几种，1.70≤(m*z+1-z)*3≤2.29，0.8≤(1-m)*z*3≤1.35。

在以波长为455nm的光照射激发下，所述荧光体发出光的CIE1931色坐标为0.418＜x＜0.426，0.545＜y＜0.560。

所述荧光体的通式中，

A的通式为La_nGd_gY_1-n-g，0≤n＜1，0≤g＜1，      

Q的通式为Al_rGa_jIn_1-r-j，0＜r≤1，0≤j＜1，

n*(1-m)*z*3=0～0.1，g*(1-m)*z*3=0～0.1，(1-z)*3= 0.095～0.135，j*5=0～0.3。