[发明专利]金属银有序多孔阵列膜的制备方法

权利要求书

1.一种金属银有序多孔阵列膜的制备方法，包括模板法，其特征在于完成步骤如下：

步骤1，先将浓度为2.3～2.7wt％的球直径为500～2000nm的聚苯乙烯球溶液涂敷至基片上，再将其上置有聚苯乙烯球的基片置于等离子体清洗机中使用等离子体刻蚀至少3min，得到其上置有松散状有序排列的聚苯乙烯球模板的基片；

步骤2，先将硝酸银、浓度为38～42wt％的氢氟酸和水按照重量比为0.83～0.87∶5∶992.15～996.15的比例混合后搅拌均匀，得到成核溶液，再将其上置有松散状有序排列的聚苯乙烯球模板的基片置于25～29℃下的成核溶液中水平静置沉积至少80s，得到基片上的聚苯乙烯球之间生长有银籽晶核；

步骤3，先按照重量比为0.49～0.53∶100的比例将硝酸银溶入水中，得到硝酸银水溶液，再依次向硝酸银水溶液中加入浓度为25～29wt％的氨水、冰醋酸、浓度为78～82wt％的水合肼和水，得到生长溶液，其中，生长溶液中的硝酸银、氨水、冰醋酸、水合肼和水之间的重量比为0.49～0.53∶152.1～152.5∶33.4～33.8∶6.23～6.27∶716.30～716.34；

步骤4，先将其上置有的聚苯乙烯球之间生长有银籽晶核的基片置于25～29℃下的生长溶液中水平静置沉积至少4.5min，得到中间产物，再将中间产物置于溶剂中溶去聚苯乙烯球，制得厚度为150～250nm、孔直径为100～1800nm、孔周期为500～2000nm的金属银有序多孔阵列膜。

2.根据权利要求1所述的金属银有序多孔阵列膜的制备方法，其特征是基片为硅片，或玻璃片，或陶瓷片。

3.根据权利要求2所述的金属银有序多孔阵列膜的制备方法，其特征是于聚苯乙烯球溶液涂敷至基片上之前，先依次使用丙酮，氨水、双氧水和去离子水的混合液，以及去离子水超声清洗基片。

4.根据权利要求3所述的金属银有序多孔阵列膜的制备方法，其特征是氨水、双氧水和去离子水的混合液由浓度为25～28wt％的氨水、浓度为28～32wt％的双氧水和去离子水按照体积比为1∶1∶5的比例配制而成。

5.根据权利要求1所述的金属银有序多孔阵列膜的制备方法，其特征是涂敷为旋涂，或滴涂，或提拉。

6.根据权利要求1所述的金属银有序多孔阵列膜的制备方法，其特征是使用等离子体刻蚀基片上的聚苯乙烯球的等离子体为氩等离子体，刻蚀的功率为18W，刻蚀的时间为3～45min。

7.根据权利要求1所述的金属银有序多孔阵列膜的制备方法，其特征是冰醋酸的纯度为AR级。

8.根据权利要求1所述的金属银有序多孔阵列膜的制备方法，其特征是溶去聚苯乙烯球的溶剂为二氯甲烷或甲苯、时间至少为5min。