[发明专利]一种曝光修正补偿方法

说明书

 

技术领域

本发明属于太阳能电池基板的曝光技术领域，尤其涉及一种曝光修正补偿方法。

 

背景技术

曝光（exposure）技术就是在基板上覆盖一层具有感光材料（photo-sensitive material）的光阻层（photoresist layer），然后光源发出的平行光经过光罩照射到该光阻层上。简单地说曝光就是平行光经过光罩而使光罩上的图案完整地转移到光阻层上。

但实际在后续的生产环节显影、电铸或者蚀刻时图形会因为液体冲击、温度等因素而产生变形，造成偏差。因此，要想得到合格的产品尺寸，就需要对此进行修正。

现有技术中，修正方的方法主要有：

1. 给曝光机设置补正机构（calibration mechanism）以避免基板上之膜层图形相互偏离。具体方案为：曝光后测量基板上之定位标记（fiducial mark）的位置，以推算基板上之元件膜层的变形量。接着根据计算结果进行各个维度（dimension）之补正，包括位移（shift）补正，用以校正图形之X轴方向及Y轴方向之位置误差；倍率（scale）补正，用以校正图形之放大或缩小误差；以及回转（rotate）补正，用以校正图形沿Z轴之扭转变形量。

2. 在数据处理时给予不同类型的开口不同的X轴与Y轴上的修正数据。补偿数据的获得是在一次次实验的基础上，通过测量最终产品图形的尺寸大小计算出这个补偿值，最后在曝光之前用这个补偿值修正曝光图形。

然而上述两种方法均不是在文件上的补偿，产品的质量和精细度方面难以得到保证。故，有必要进行开发研究，以提供一种方案，使得产品质量和精细度的提供都能得到保证。

 

发明内容

为解决上述问题，本发明的目的在于提供一种曝光修正补偿方法，以提高曝光产品的质量和精细度。

为实现上述目的，本发明的技术方案为：

一种曝光修正补偿方法，包括如下步骤：

S10：进行试验文件的编辑、设定分区；

S11：对图形文件进行无任何修正补偿的曝光；

S12：按步骤S10的分区对产品进行检测，记录下每一个分区中IC开口在X与Y方向上的尺寸X^’₁、Y^’₁；X^’₂、Y^’₂ ；……X^’_m、Y^’_m；

S13：将X^’ (X^’₁、X^’₂、……X^’_m)与X(X₁、X₂、……X_m)进行比较，Y^’ (Y^’₁、Y^’₂、……Y^’_m)与Y(Y₁、Y₂、……Y_m)进行比较，计算出缩放倍率；

S14：经过至少2次以上试验，对X、Y方向的数据进行分析，分别拟合成相应的关系公式，分别得出不同类型IC开口补偿数据X_补、Y_补 ；

S15：确定补偿数据后在文件上应用并制作产品验证再现性。

进一步地，所述步骤S10具体为：设定分区，并在分区中编辑同一类型的IC开口，数量为N个；由于不同区域的IC开口要求不一样，包括形状与尺寸大小，所以将不同分区打上标定与区分的字符；对于不同分区的IC开口记录下X与Y方向尺寸X₁、Y₁ ；X₂、Y₂ ；……X_m、Y_m 。

进一步地，所述步骤S12中数据的检测系采用先进的设备四合一进行获取，精度高。

进一步地，所述步骤S14数据的分析系采用专门的数据分析软件进行拟合，再得出最优参数组合。