[发明专利]一种静电放电保护电路及包括该保护电路的显示装置有效
申请号: | 201210008979.8 | 申请日: | 2012-01-12 |
公开(公告)号: | CN102651547A | 公开(公告)日: | 2012-08-29 |
发明(设计)人: | 段立业;吴仲远 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H02H9/00 | 分类号: | H02H9/00;H02H9/02 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 静电 放电 保护 电路 包括 显示装置 | ||
1.一种静电放电保护电路,其特征在于,该保护电路包括耗尽型的第一薄膜晶体管、耗尽型的第二薄膜晶体管、耗尽型的第三薄膜晶体管及分压单元,其中,
所述第一薄膜晶体管,漏极与第一电平线相连,栅极与信号线相连,源极与所述第二薄膜晶体管的栅极以及所述分压单元相连;
所述第二薄膜晶体管,漏极与所述第一电平线相连,栅极与所述第一薄膜晶体管的源极相连,源极与所述信号线相连;
所述第三薄膜晶体管,漏极与所述信号线相连,栅极与第三电平线相连,源极与第二电平线相连;
所述分压单元,连接所述第一薄膜晶体管的源极和所述第二电平线。
2.如权利要求1所述的保护电路,其特征在于,所述分压单元包括分压电阻或耗尽型薄膜晶体管。
3.如权利要求2所述的保护电路,其特征在于,当所述分压单元包括耗尽型的第四薄膜晶体管时,则
所述第四薄膜晶体管,漏极与所述第一薄膜晶体管的源极相连,栅极与所述第二电平线相连,源极与所述第二电平线相连。
4.如权利要求3所述的保护电路,其特征在于,所述第四薄膜晶体管的有效沟道区宽长比小于所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管及所述第三薄膜晶体管的有效沟道区宽长比。
5.如权利要求1所述的保护电路,其特征在于,当所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管均为N型薄膜晶体管时,则
所述第一电平线、所述第二电平线、所述第三电平线的电平依次降低。
6.如权利要求1所述的保护电路,其特征在于,当所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管均为P型薄膜晶体管时,则
所述第一电平线、所述第二电平线、所述第三电平线的电平依次升高。
7.如权利要求1~6中任意一项所述的保护电路,其特征在于,所述信号线包括数据线或栅极线。
8.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1所述的保护电路,该保护电路包括耗尽型的第一薄膜晶体管、耗尽型的第二薄膜晶体管、耗尽型的第三薄膜晶体管及分压单元,其中,
所述第一薄膜晶体管,漏极与第一电平线相连,栅极与信号线相连,源极与所述第二薄膜晶体管的栅极以及所述分压单元相连;
所述第二薄膜晶体管,漏极与所述第一电平线相连,栅极与所述第一薄膜晶体管的源极相连,源极与所述信号线相连;
所述第三薄膜晶体管,漏极与所述信号线相连,栅极与第三电平线相连,源极与第二电平线相连;
所述分压单元,连接所述第一薄膜晶体管的源极和所述第二电平线。
9.如权利要求8所述的显示装置,其特征在于,当所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管均为N型薄膜晶体管时,则
所述第一电平线、所述第二电平线、所述第三电平线的电平依次降低。
10.如权利要求8所述的显示装置,其特征在于,当所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管均为P型薄膜晶体管时,则
所述第一电平线、所述第二电平线、所述第三电平线的电平依次升高。
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