[发明专利]一种静电放电保护电路及包括该保护电路的显示装置有效

专利信息
申请号: 201210008979.8 申请日: 2012-01-12
公开(公告)号: CN102651547A 公开(公告)日: 2012-08-29
发明(设计)人: 段立业;吴仲远 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H02H9/00 分类号: H02H9/00;H02H9/02
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 静电 放电 保护 电路 包括 显示装置
【权利要求书】:

1.一种静电放电保护电路,其特征在于,该保护电路包括耗尽型的第一薄膜晶体管、耗尽型的第二薄膜晶体管、耗尽型的第三薄膜晶体管及分压单元,其中,

所述第一薄膜晶体管,漏极与第一电平线相连,栅极与信号线相连,源极与所述第二薄膜晶体管的栅极以及所述分压单元相连;

所述第二薄膜晶体管,漏极与所述第一电平线相连,栅极与所述第一薄膜晶体管的源极相连,源极与所述信号线相连;

所述第三薄膜晶体管,漏极与所述信号线相连,栅极与第三电平线相连,源极与第二电平线相连;

所述分压单元,连接所述第一薄膜晶体管的源极和所述第二电平线。

2.如权利要求1所述的保护电路,其特征在于,所述分压单元包括分压电阻或耗尽型薄膜晶体管。

3.如权利要求2所述的保护电路,其特征在于,当所述分压单元包括耗尽型的第四薄膜晶体管时,则

所述第四薄膜晶体管,漏极与所述第一薄膜晶体管的源极相连,栅极与所述第二电平线相连,源极与所述第二电平线相连。

4.如权利要求3所述的保护电路,其特征在于,所述第四薄膜晶体管的有效沟道区宽长比小于所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管及所述第三薄膜晶体管的有效沟道区宽长比。

5.如权利要求1所述的保护电路,其特征在于,当所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管均为N型薄膜晶体管时,则

所述第一电平线、所述第二电平线、所述第三电平线的电平依次降低。

6.如权利要求1所述的保护电路,其特征在于,当所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管均为P型薄膜晶体管时,则

所述第一电平线、所述第二电平线、所述第三电平线的电平依次升高。

7.如权利要求1~6中任意一项所述的保护电路,其特征在于,所述信号线包括数据线或栅极线。

8.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1所述的保护电路,该保护电路包括耗尽型的第一薄膜晶体管、耗尽型的第二薄膜晶体管、耗尽型的第三薄膜晶体管及分压单元,其中,

所述第一薄膜晶体管,漏极与第一电平线相连,栅极与信号线相连,源极与所述第二薄膜晶体管的栅极以及所述分压单元相连;

所述第二薄膜晶体管,漏极与所述第一电平线相连,栅极与所述第一薄膜晶体管的源极相连,源极与所述信号线相连;

所述第三薄膜晶体管,漏极与所述信号线相连,栅极与第三电平线相连,源极与第二电平线相连;

所述分压单元,连接所述第一薄膜晶体管的源极和所述第二电平线。

9.如权利要求8所述的显示装置,其特征在于,当所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管均为N型薄膜晶体管时,则

所述第一电平线、所述第二电平线、所述第三电平线的电平依次降低。

10.如权利要求8所述的显示装置,其特征在于,当所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管均为P型薄膜晶体管时,则

所述第一电平线、所述第二电平线、所述第三电平线的电平依次升高。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210008979.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top