[发明专利]CuOx/SiO2三阶非线性光学复合薄膜材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201210008822.5 申请日: 2012-01-12
公开(公告)号: CN102566195A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 辜敏;冯砚艳;鲜晓东 申请(专利权)人: 重庆大学
主分类号: G02F1/355 分类号: G02F1/355;G02B1/10
代理公司: 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 代理人: 张先芸
地址: 400044 *** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: cuo sub sio 非线性 光学 复合 薄膜 材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1. 一种CuOx/SiO2(x=0, 0.5, 1)三阶非线性光学复合薄膜,其特征在于:SiO2薄膜上分别嵌有Cu、Cu2O或者CuO颗粒的复合薄膜结构。

2. 一种如权利要求1所述的CuOx/SiO2(x=0, 0.5, 1)三阶非线性光学复合薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

a. 制备均匀稳定的铜盐硅溶胶;

b. 将均匀稳定的铜盐硅溶胶以电化学-溶胶凝胶的方式在工作电极上生成复合薄膜,通过控电位、控电流方法或调控循环伏安方法中的起止电位调整复合薄膜中Cu、Cu2O或CuO颗粒的尺寸、形态及其和SiO2的比例;

c. 将附着有CuOx/SiO2复合薄膜的工作电极在室温下自然晾干。

3.根据权利要求2所述的CuOx/SiO2(x=0, 0.5, 1)三阶非线性光学复合薄膜的制备方法,其特征在于:步骤a中,将一定量的铜盐溶于缓冲溶液中,然后加入一定量的硅源并在室温下搅拌5~9 h;铜盐在硅溶胶中的摩尔浓度可为0.002~0.05mol/L,硅源与缓冲溶液的体积比为1:2~10。

4.根据权利要求2所述的CuOx/SiO2(x=0, 0.5, 1)三阶非线性光学复合薄膜的制备方法,其特征在于:步骤b中,工作电极为导电玻璃ITO,大面积Pt片为辅助电极,饱和甘汞电极为参比电极。

5.根据权利要求2所述的CuOx/SiO2(x=0, 0.5, 1)三阶非线性光学复合薄膜的制备方法,其特征在于:步骤b中,在-0.1~-0.7V下进行恒电位电沉积和电化学诱导溶胶凝胶,时间10~800s。

6.根据权利要求2或3所述的CuOx/SiO2(x=0, 0.5, 1)三阶非线性光学复合薄膜的制备方法,其特征在于:所述铜盐为氯化铜、硫酸铜和硝酸铜中任一种。

7.根据权利要求2或3所述的CuOx/SiO2(x=0, 0.5, 1)三阶非线性光学复合薄膜的制备方法,其特征在于:所述硅源为正硅酸乙酯或正硅酸甲酯。

8.根据权利要求3所述的CuOx/SiO2(x=0, 0.5, 1)三阶非线性光学复合薄膜的制备方法,其特征在于:所述缓冲溶液由邻苯二甲酸氢钾与盐酸或氢氧化钠配制而成,缓冲溶液的摩尔浓度可为0.5~2mmol/L,pH值为3~6,且缓冲溶液中含有0.1~0.3mol/LKNO3

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