[发明专利]CuOx/SiO2三阶非线性光学复合薄膜材料及其制备方法无效
申请号: | 201210008822.5 | 申请日: | 2012-01-12 |
公开(公告)号: | CN102566195A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 辜敏;冯砚艳;鲜晓东 | 申请(专利权)人: | 重庆大学 |
主分类号: | G02F1/355 | 分类号: | G02F1/355;G02B1/10 |
代理公司: | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人: | 张先芸 |
地址: | 400044 *** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | cuo sub sio 非线性 光学 复合 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
1. 一种CuOx/SiO2(x=0, 0.5, 1)三阶非线性光学复合薄膜,其特征在于:SiO2薄膜上分别嵌有Cu、Cu2O或者CuO颗粒的复合薄膜结构。
2. 一种如权利要求1所述的CuOx/SiO2(x=0, 0.5, 1)三阶非线性光学复合薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
a. 制备均匀稳定的铜盐硅溶胶;
b. 将均匀稳定的铜盐硅溶胶以电化学-溶胶凝胶的方式在工作电极上生成复合薄膜,通过控电位、控电流方法或调控循环伏安方法中的起止电位调整复合薄膜中Cu、Cu2O或CuO颗粒的尺寸、形态及其和SiO2的比例;
c. 将附着有CuOx/SiO2复合薄膜的工作电极在室温下自然晾干。
3.根据权利要求2所述的CuOx/SiO2(x=0, 0.5, 1)三阶非线性光学复合薄膜的制备方法,其特征在于:步骤a中,将一定量的铜盐溶于缓冲溶液中,然后加入一定量的硅源并在室温下搅拌5~9 h;铜盐在硅溶胶中的摩尔浓度可为0.002~0.05mol/L,硅源与缓冲溶液的体积比为1:2~10。
4.根据权利要求2所述的CuOx/SiO2(x=0, 0.5, 1)三阶非线性光学复合薄膜的制备方法,其特征在于:步骤b中,工作电极为导电玻璃ITO,大面积Pt片为辅助电极,饱和甘汞电极为参比电极。
5.根据权利要求2所述的CuOx/SiO2(x=0, 0.5, 1)三阶非线性光学复合薄膜的制备方法,其特征在于:步骤b中,在-0.1~-0.7V下进行恒电位电沉积和电化学诱导溶胶凝胶,时间10~800s。
6.根据权利要求2或3所述的CuOx/SiO2(x=0, 0.5, 1)三阶非线性光学复合薄膜的制备方法,其特征在于:所述铜盐为氯化铜、硫酸铜和硝酸铜中任一种。
7.根据权利要求2或3所述的CuOx/SiO2(x=0, 0.5, 1)三阶非线性光学复合薄膜的制备方法,其特征在于:所述硅源为正硅酸乙酯或正硅酸甲酯。
8.根据权利要求3所述的CuOx/SiO2(x=0, 0.5, 1)三阶非线性光学复合薄膜的制备方法,其特征在于:所述缓冲溶液由邻苯二甲酸氢钾与盐酸或氢氧化钠配制而成,缓冲溶液的摩尔浓度可为0.5~2mmol/L,pH值为3~6,且缓冲溶液中含有0.1~0.3mol/LKNO3。
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