[发明专利]用于光刻设备的反射光学部件及器件制造方法

权利要求书

1.一种反射光学部件，配置成反射EUV辐射，所述反射光学部件包括：反射层，其上具有双金属盖层，所述双金属盖层包括第一金属和与第一金属不同的第二金属，其中，所述盖层的外表面基本上不与硫化物反应。

2.如权利要求1所述的反射光学部件，其中，所述双金属盖层包括第一金属基底层和设置在所述基底层上的第二金属表面层。

3.如权利要求2所述的反射光学部件，其中，所述表面层包括少于5个的第二金属单层。

4.如权利要求2或3所述的反射光学部件，其中，所述表面层是基本上第二金属单层。

5.如前述权利要求中任一项所述的反射光学部件，其中，所述双金属盖层具有4nm或更小的厚度。

6.如前述权利要求中任一项所述的反射光学部件，其中，所述第一金属选自由下列项构成的组：钌、铑、钯、锇、铱、钛、锆以及铌。

7.如权利要求6所述的反射光学部件，其中，所述第一金属选自由下列项构成的组：钌、铑、钯、钛以及锆。

8.如前述权利要求中任一项所述的反射光学部件，其中，所述第二金属选自由下列项构成的组：钌、铑、钯、锇、铱、钪、钛、钒、锰、锆、钛、铌、钼、钨以及铼。

9.如权利要求8所述的反射光学部件，其中，所述第二金属选自由下列项构成的组：钌、铑、钯、钛以及锆。

10.如前述权利要求中任一项所述的反射光学部件，其中，所述反射层包括钼或类金刚石碳和硅的交替层。

11.一种反射光学部件，配置成反射EUV辐射，所述反射光学部件包括：反射层，其上具有盖层，其中所述盖层是第一金属和第二金属的合金，所述第二金属与所述第一金属不同，配置成使得所述盖层的外表面基本上不与硫化合物反应。

12.一种反射光学部件，配置成反射EUV辐射，所述反射光学部件包括：

反射层；

沉积在反射层上的第一金属基底层，所述第一金属选自由下列项构成的组：钌、铼和钯、钛和锆；和

沉积在基底层上的第二金属表面层，其中所述第二层包括少于5个的第二金属单层，并且其中相对于第一金属的表面，所述表面层的外表面对硫具有较小的吸附系数。

13.一种光刻投影设备，布置成将EUV辐射的来自图案形成装置的图案投影到衬底上，其中所述光刻投影设备包括一个或多个如权利要求1至12中任一项所述的反射光学部件。

14.一种用于EUV光刻的照射设备，布置成调节EUV辐射束，其中所述照射设备包括一个或多个如权利要求1至12中任一项所述的反射光学部件。

15.一种器件制造方法，包括步骤：

用一个或多个如权利要求1至12中任一项所述的反射光学部件反射EUV辐射束；和

将图案化的EUV辐射束投影到衬底上。