[发明专利]具有降压调节能力的升压转换器及其降压调节方法

权利要求书

1.一种升压转换器的降压调节方法，其特征在于，所述升压转换器包含电感连接在所述升压转换器的输入端及切换节点之间、第一开关连接在所述切换节点及参考电位端之间以及作为第二开关的PMOS晶体管连接在所述切换节点及所述升压转换器的输出端之间，所述降压调节方法包括下列步骤：

(A)关闭所述第一开关；以及

(B)切换所述PMOS晶体管以将所述输入端的输入电压转换为所述输出端的输出电压，所述输出电压小于所述输入电压。

2.如权利要求1所述的降压调节方法，其特征在于，所述步骤(B)包括提供栅极电压至所述PMOS晶体管的栅极以关闭所述PMOS晶体管，所述栅极电压大于所述输入电压减去所述PMOS晶体管的临界电压的绝对值的电压。

3.一种升压转换器的降压调节方法，其特征在于，所述升压转换器包含电感连接在所述升压转换器的输入端及切换节点之间、第一开关连接在所述切换节点及参考电位端之间以及作为第二开关的PMOS晶体管连接在所述切换节点及所述升压转换器的输出端之间，所述降压调节方法包括下列步骤：

(A)打开所述第一开关并关闭所述PMOS晶体管以使所述电感储能；

(B)打开所述PMOS晶体管并关闭所述第一开关；以及

(C)关闭所述第一开关及所述PMOS晶体管以使所述电感放能。

4.如权利要求3所述的降压调节方法，其特征在于，所述关闭所述PMOS晶体管的步骤包括提供栅极电压至所述PMOS晶体管的栅极，所述栅极电压大于所述输入电压减去所述PMOS晶体管的临界电压的绝对值。

5.一种升压转换器，其特征在于，包括：

电感，连接在所述升压转换器的输入端及切换节点之间；

第一开关连接在所述切换节点及参考电位端之间；

作为第二开关的PMOS晶体管，连接在所述切换节点及所述升压转换器的输出端之间；以及

控制器，连接所述第一开关及所述PMOS晶体管，控制所述第一开关及所述PMOS晶体管的切换；

其中，在降压模式期间，所述控制器关闭所述第一开关并且切换所述PMOS晶体管以将所述输入端的输入电压转换为所述输出端的输出电压，所述输出电压小于所述输入电压。

6.如权利要求5所述的升压转换器，其特征在于，所述控制器提供栅极电压至所述PMOS晶体管的栅极以关闭所述PMOS晶体管，所述栅极电压大于所述输入电压减去所述PMOS晶体管的临界电压的绝对值的电压。

7.一种升压转换器，其特征在于，包括：

电感，连接在所述升压转换器的输入端及切换节点之间；

第一开关连接在所述切换节点及参考电位端之间；

作为第二开关的PMOS晶体管，连接在所述切换节点及所述升压转换器的输出端之间；以及

控制器，连接所述第一开关及所述PMOS晶体管，控制所述第一开关及所述PMOS晶体管的切换；

其中，在降压模式期间，所述控制器依序执行下列步骤：打开所述第一开关并关闭所述PMOS晶体管以使所述电感储能；打开所述PMOS晶体管并关闭所述第一开关；以及关闭所述第一开关及所述PMOS晶体管以使所述电感放能。

8.如权利要求7所述的升压转换器，其特征在于，所述控制器提供栅极电压至所述PMOS晶体管的栅极以关闭所述PMOS晶体管，所述栅极电压大于所述输入电压减去所述PMOS晶体管的临界电压的绝对值的电压。