[发明专利]双口RAM替代系统及采用该系统实现数据传输的方法无效

专利信息
申请号: 201210008275.0 申请日: 2012-01-12
公开(公告)号: CN102541775A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 王庆山 申请(专利权)人: 航天科工深圳(集团)有限公司
主分类号: G06F13/16 分类号: G06F13/16
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518048 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 双口 ram 替代 系统 采用 实现 数据传输 方法
【权利要求书】:

1.一种双口RAM替代系统,其特征在于,所述系统包括第一接口、第二接口、第一SRAM接口、第二SRAM接口以及外围调试电路接口,各个接口之间通过现场可编程门阵列实现数据传输,其中,第一接口和第二接口分别与第一双口RAM接口和第二双口RAM接口兼容,第一SRAM接口和第二SRAM接口分别对应整个存储空间的奇数地址和偶数地址。

2.根据权利要求1所述的双口RAM替代系统,其特征在于,第一接口、第二接口、第一SRAM接口以及第二SRAM接口均包括数据总线、地址总线以及控制总线。

3.根据权利要求2所述的双口RAM替代系统,其特征在于,第一SRAM接口和第二SRAM接口均为16位。

4.根据权利要求3所述的双口RAM替代系统,其特征在于,第一SRAM接口和第二SRAM接口的物理连接均处于独立状态。

5.一种采用双口RAM替代系统实现数据传输的方法,其特征在于,所述双口RAM替代系统为上述权利要求1至4任一项所述的双口RAM替代系统,所述方法包括对外接口读写步骤和内部SRAM读写步骤,其中, 

对外接口读写步骤包括:

A1.接收用户读写第一预传输数据的命令;

B1.通过第一接口和/或第二接口对所述第一预传输数据所对应的地址进行读写操作,以读写所述第一预传输数据;

内部SRAM读写步骤包括:

A2.在第一SRAM控制器和/或第二SRAM控制器处于空闲状态时接收用户需要读写的第二预传输数据;

B2.根据第一SRAM接口和/或第二SRAM接口所检测到的读写信号,对所述第二预传输数据进行相应的处理。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述步骤B1具体包括以下步骤:

B11.通过第一接口对所述第一预传输数据所对应的地址进行读写操作时判断第二接口是否正在读写该地址,若是,则发送忙信号,若否,则执行步骤B12;

B12.判断该地址为读操作还是写操作,若为写操作,则执行步骤B13,若为读操作,则直接转至步骤B16;

B13.在写缓冲区处于空闲状态下,判断该写缓冲区是否存在该地址,若是,则执行步骤S141,若否,则执行步骤S142;

B141.更新该地址中的所述第一预传输数据,步骤结束;

B142.查看该写缓冲区是否已满,若是,则发送忙信号,步骤结束,若否,则执行步骤B15;

B15.待总线空闲时将所述第一预传输数据写入缓冲区,步骤结束;

B16.判断该写缓冲区是否存在该地址,若是,则直接转至步骤S182,若否,则执行步骤S17;

B17.判断该地址所分配的空间是否正在进行读写操作,若是,则执行步骤S181,若否,则执行步骤S182;

B181.在下一个读写周期读取所述第一预传输数据;

B182.读取所述第一预传输数据。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述步骤B11还包括以下步骤:

判断第一接口和第二接口所对应的地址是否相同,若是,根据优先级确定第一接口进行写操作、第二接口进行写操作,还是两个接口都不进行写,若否,则执行步骤B12。

8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述步骤A2还包括以下步骤:

判断第一SRAM控制器和/或第二SRAM控制器是否处于空闲状态。

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述步骤B2具体包括以下步骤:

B21.判断当前地址所对应的SRAM接口是否有正在操作的指令,若是,则执行步骤B221,若否,则执行步骤B222;

B221.在当前操作结束后对所述预传输数据进行读写操作;

B222.直接对所述预传输数据进行读写操作。

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