[发明专利]欠压检测电路有效
申请号: | 201210008135.3 | 申请日: | 2012-01-12 |
公开(公告)号: | CN102565516A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 程晋 | 申请(专利权)人: | 上海山景集成电路技术有限公司 |
主分类号: | G01R19/165 | 分类号: | G01R19/165 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 200135 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 电路 | ||
技术领域
本发明涉及电路领域,特别是涉及一种欠压检测电路。
背景技术
带隙电压基准源(以下简称基准源)是几乎所有电子系统都要用到的一个部件,其能够提供不随温度、电源电压和工艺的变化而变化的基准电压。然而,基准源只有在高于一定的电源电压下才能够正常工作,才能输出正确的基准电压;当低于规定的电源电压时,其输出的基准电压会随着电源电压的降低而降低,最后甚至会停止工作。因为基准电压决定了电子系统内部稳压电源的输出和诸多检测、判断机制的工作状态,因此,过低的基准电压会使整个电子系统处于不确定状态、降低产品的可靠性。因此必须有一个欠压检测机制来判断电源电压是否能够使基准源处于正常的工作状态,当电源电压过低时,锁定除基准源外的所有电路,当电源电压足够高时,解除锁定,提供一个准确的基准电压。
目前常用的欠压检测方法是用电阻分压来对电源电压进行采样,然后用各种形式的比较器来判断电源电压是否达到阈值电压。由于阈值电压通常决定于晶体管或二极管的导通电压,因此会随着温度和工艺的变化产生较大的偏差,很难确保可靠性。
此外,美国专利US6842321提出了一种对温度和工艺变化不敏感的欠压检测电路。但是该种电路无法在普通CMOS工艺上应用,而且该电路设定的电源电压阈值点和保证基准源正常工作所需的电源电压阈值点并没有直接的联系。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种高可靠性、低功耗的欠压检测电路。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种欠压检测电路,其应用于能提供基准电压的电路,用于基于所述能提供基准电压的电路包含的晶体管是否处于饱和区,来输出所述基准电压是否有效的指示信号。
优选地,当所述能提供基准电压的电路连接有启动电路时,所述欠压检测电路连接所述启动电路输出端,用于当所述启动电路启动所述能提供基准电压的电路的启动作业完成后,基于所述能提供基准电压的电路包含的晶体管是否处于饱和区来输出所述基准电压是否有效的指示信号。
优选地,所述欠压检测电路为具有正反馈的电路。
优选地,所述能提供基准电压的电路包括带隙电压基准源。
如上所述,本发明的欠压检测电路,具有以下有益效果:能直接判断能提供基准电压的电路所提供的基准电压是否有效;而且,本发明不受温度和工艺变化的影响,具有较高的可靠性;再有,本发明可以用标准CMOS工艺加以实现,可以整合在各种基准源架构中,并且只需极低的功耗,因而具有广泛的应用性。
附图说明
图1显示为本发明的欠压检测电路的一种优选电路示意图。
元件标号说明
1 带隙电压基准源
2 启动电路
3 欠压检测电路
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用,本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用,在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1。需要说明的是,本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想,遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制,其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变,且其组件布局型态也可能更为复杂。
本发明提供的欠压检测电路应用于能提供基准电压的电路,其基于所述能提供基准电压的电路包含的晶体管是否处于饱和区,来输出所述基准电压是否有效的指示信号。
优选地,所述能提供基准电压的电路包括带隙电压基准源,其用于提供基准电压VBG。
例如,如图1所示,欠压检测电路3基于带隙电压基准源1包含的晶体管M1、M4等是否处于饱和区,来输出基准电压VBG是否有效的指示信号UVLO。
其中,所述欠压检测电路3包括PMOS管M8、M9、M10、M11、M12、M13、M14、M16、NMOS管M15、M17、M18、M19、M20、PNP管Q3、反相器INV1及电容C1;
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