[发明专利]SRAM型FPGA的低功耗设计方法有效

专利信息
申请号: 201210007365.8 申请日: 2012-01-11
公开(公告)号: CN102609563A 公开(公告)日: 2012-07-25
发明(设计)人: 黄柯衡;胡瑜;李晓维 申请(专利权)人: 中国科学院计算技术研究所
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 代理人: 王勇
地址: 100190 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: sram fpga 功耗 设计 方法
【权利要求书】:

1.一种SRAM型FPGA的低功耗设计方法,包括:

步骤一、根据FPGA结构及电路信息,建立漏电功耗信息图;

步骤二、在布线阶段对各MUX所对应的漏电功耗进行评估,得到漏电功耗;

步骤三、将所述漏电功耗引入布线代价函数,从而在布线过程中降低电路漏电功耗。

2.根据权利要求1所述的低功耗设计方法,其中,步骤一中的漏电功耗信息图包含两类信息:

第一类信息是电路布线实现过程中各线段之间的连接关系;

第二类信息是电路网表中各连线的逻辑概率。

3.根据权利要求1所述的低功耗设计方法,其中,步骤二包括:

根据MUX所有可能的输入向量,通过下述方式计算其对应的状态汉明距离SHD:

SHDv=Σi=0Noff-pathH(Stateon-path,Stateoff-pathi)]]>

其中,SHDv表示在MUX的输入为v的情况下,通路输入的逻辑值Stateon-path与各旁路输入i的逻辑值Stateioff-path之间的汉明距离H的和;Noff-path表示该MUX中旁路输入的数量;汉明距离表示当两个参数表示为字符串时对应位置的不同字符的个数;

通过分析每一个可能的状态汉明距离值所对应的MUX漏电功耗,并对MUX输入端所有可能的状态汉明距离取值i进行遍历,通过下述方式计算该MUX的漏电功耗:

Lmux=Σi=0NSHDP(SHD=i)*L(SHD=i)]]>

其中,NSHD为MUX输入端所有可能的SHD值的数量,P(SHD=i)为该MUX输入端状态汉明距离为SHD=i的概率,L(SHD=i)为MUX输入端状态汉明距离为i时所对应的漏电功耗。

4.根据权利要求3所述的低功耗设计方法,其中,

P(SHD=i)为所有满足状态汉明距离为i的输入端向量v出现的概率的和,MUX输入端输入向量v出现的概率为MUX各输入端同时出现输入向量v所对应分量的联合概率;

对于各SHD值下所对应的漏电功耗L(SHD=i),通过建立MUX电路所对应的SPICE模型,进而对该模型在满足各SHD值的输入向量条件下进行SPICE模拟得到。

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