[发明专利]一种马赫-曾德尔硅光调制器有效
| 申请号： | 201210005489.2 | 申请日： | 2012-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN102636887A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 肖金标 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210096*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 马赫 曾德尔硅光 调制器 | ||
【权利要求书】：
1.一种马赫-曾德尔硅光调制器, 其特征在于：该硅光调制器包括光输入通道（1），与光输入通道（1）相连的多模干涉光分路器（3）、多模干涉光耦合器（4）、与多模干涉光耦合器（4）相连的光输出通道（2）、脊光波导（8），多模干涉光分路器（3）与多模干涉光耦合器（4）通过脊光波导（8）相连；
该硅光调制器还包括分别位于脊光波导（8）两侧的阳极电极（5）和阴极电极（6），以及位于脊光波导（8）中的PN结相移臂（7）。
2. 根据权利要求1所述的马赫-曾德尔硅光调制器，其特征在于： PN结相移臂（7）为“田”型，即由4个PN结组成，包括第一P掺杂区（9）与第一N掺杂区（10）形成的PN结、第二P掺杂区（14）与第二N掺杂区（13）形成的PN结、第一P掺杂区（9）与第二N掺杂区（13）形成的PN结、第二P掺杂区（14）和第一N掺杂区（10）形成的PN结；
“田”型PN结相移臂（7）中的4个PN结被本征硅层（17）分离；第一重P掺杂区（11）和第二重P掺杂区（16）分别引出电极短接作为阴极（6）；第一重N掺杂区（12）和第二重N掺杂区（15）分别引出电极短接作为阳极（5）。
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