[发明专利]一种采用镜像硅片台的光刻机有效

专利信息
申请号: 201210005214.9 申请日: 2012-01-10
公开(公告)号: CN103197506A 公开(公告)日: 2013-07-10
发明(设计)人: 杨志勇 申请(专利权)人: 上海微电子装备有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 代理人: 王光辉
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 采用 硅片 光刻
【权利要求书】:

1.一种采用镜像硅片台的光刻机,包括照明系统,掩模台,投影物镜,硅片台,硅片传输系统以及位置测量系统,其特征在于:

在硅片台上以硅片台中心为对称点可左右放置第一硅片和第二硅片;

沿硅片台方向在硅片台中心及所述硅片外侧分别布置第一位置测量基准、第二位置测量基准和第三位置测量基准,用于提供水平向和垂向六自由度的参考位置,所述位置测量基准及所述硅片的中心点处在一条直线上且相邻各点间间距相等;

所述位置测量系统包括对称布置在投影物镜两侧的第一位置测量系统和第二位置测量系统,每个所述位置测量系统的测量轴到投影物镜光轴的距离等于硅片台上相邻两个所述位置基准的间距,所述测量轴和投影物镜光轴处于同一平面内,并且硅片台上位置测量基准的连线与所述平面平行。

2.如权利要求1所述的光刻机,其特征在于:每个所述位置测量传感系统包括水平向测量传感器及垂向测量传感器。

3.如权利要求1所述的光刻机,其特征在于:在投影物镜两侧对称布置两个所述硅片传输系统。

4.如权利要求1所述的光刻机,其特征在于:每个所述位置测量基准还包括掩模标记成像探测单元。

5.如权利要求1所述的光刻机,其特征在于:还包括浸液系统,构成浸液式光刻机。

6.使用如权利要求1-5任一项所述的光刻机的曝光流程,包括如下步骤:

(1)以硅片台中心为对称点左右放置有未曝光的所述第一硅片和已曝光的硅片,硅片台运动到一侧的交接位置,该侧的所述硅片传输系统将所述已曝光的硅片撤下并放置未曝光的所述第二硅片,硅片台另一侧的所述第一位置测量基准与所述投影物镜的光轴对齐,进行掩模对准,建立掩模与硅片台的水平向与垂向位置关系,所述第二位置测量系统的测量轴与硅片台中心的所述第二位置测量基准对齐,测量并建立所述第二位置测量系统的测量轴与硅片台的水平向与垂向位置关系; 

(2)硅片台驱动所述第一硅片移动到投影物镜下方进行扫描曝光,同时所述第二位置测量系统按照相同的轨迹对所述第二硅片进行水平位置测量和面形起伏测量;

(3)曝光完毕后,硅片台驱动所述第一硅片移动到另一侧的交接位置,由该侧的所述硅片传输系统执行硅片交接步骤,撤下所述第一硅片并放置新的硅片,同时所述第三位置测量基准与投影物镜光轴对齐,进行掩模对准,建立掩模与硅片台的水平向与垂向位置关系,所述第一位置测量系统的测量轴与硅片台中心的所述第二位置测量基准对齐,测量并建立所述第一位置测量系统的测量轴与硅片台的水平向与垂向位置关系;

(4)重复步骤(2),进行所述第二硅片的曝光和所述新的硅片的位置测量。

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