[发明专利]缺陷碳粉的改良处理方法无效
申请号: | 201210005141.3 | 申请日: | 2012-01-09 |
公开(公告)号: | CN102566342A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 于普海;汤付根 | 申请(专利权)人: | 珠海思美亚碳粉有限公司 |
主分类号: | G03G9/08 | 分类号: | G03G9/08 |
代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人: | 高占元;张秋红 |
地址: | 519170 广东省珠*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 缺陷 碳粉 改良 处理 方法 | ||
1.一种缺陷碳粉的改良处理方法,其特征在于,在缺陷碳粉中添加处理剂搅拌混合均匀,所述处理剂包括表面改性处理的二氧化钛和钛酸锶中的至少一种、表面改性处理的二氧化硅,其中缺陷碳粉的重量份数为96.5份~99.8份、所述表面改性处理的二氧化钛的重量份数为0.1份~1.8份、所述表面改性处理的二氧化硅为0.1份~2.8份、所述钛酸锶的重量份数为0.02份~1.5份。
2.根据权利要求1所述的缺陷碳粉的改良处理方法,其特征在于,所述处理剂还包括重量份数为0.2份~1.5份的润滑剂。
3.根据权利要求1或2所述的缺陷碳粉的改良处理方法,其特征在于,所述表面改性处理的二氧化硅为带负电的改性二氧化硅或带正电的改性二氧化硅,所述带负电的改性二氧化硅的重量份数为0.3份~2.8份,所述带正电的改性二氧化硅的重量份数为0.1份~1.5份。
4.根据权利要求3所述的缺陷碳粉的改良处理方法,其特征在于,所述带负电的改性二氧化硅的带电量为-30~-800uc/g;所述带正电的改性二氧化硅的带电量为30~500uc/g。
5.根据权利要求3所述的缺陷碳粉的改良处理方法,其特征在于,所述带负电的改性二氧化硅的粒径为5~150nm;所述带正电的改性二氧化硅的粒径为7~150nm。
6.根据权利要求1或2所述的缺陷碳粉的改良处理方法,其特征在于,所述表面改性处理的二氧化硅是经聚二甲基硅烷或六甲基二硅氮烷表面处理的二氧化硅。
7.根据权利要求1或2所述的缺陷碳粉的改良处理方法,其特征在于,所述表面改性处理的二氧化钛是经反应性硅油进行表面处理的二氧化钛。
8.根据权利要求1或2所述的缺陷碳粉的改良处理方法,其特征在于,所述表面改性处理的二氧化钛的粒径为50~300nm、带电量为-20~-90uc/g。
9.根据权利要求2所述的缺陷碳粉的改良处理方法,其特征在于,所述润滑剂为脂肪酸金属盐。
10.根据权利要求1或2所述的缺陷碳粉的改良处理方法,其特征在于,将所述缺陷碳粉和所述处理剂放入到可调速的混合机中,先低速混合一次到两次,混合速度为700~800转/min,每次混合时间为1~3min、间停20s~120s;再高速混合一次到两次,混合速度为1400~1600转/min,每次混合时间为1~3min、间停20s~120s,最后过筛得到改良碳粉。
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